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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
Datenblatt
8.434Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC
Datenblatt
946Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 25 A 72.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 25 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Tube