SiC MOSFET – Mouser Belgique

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Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	Style de montage	Package/Boîte	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R008M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 33,23 € 1.584En stock 1.000Sur commande	Fab. Numéro de référence IMBG120R008M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R008M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	1.584En stock 1.000Sur commande	Bande coupée 33,23 € 27,12 € 23,96 € 23,82 € Bobine 22,37 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	189 A	7.7 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	195 nC	- 55 C	+ 175 C	800 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R012M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 23,89 € 1.975En stock	Fab. Numéro de référence IMBG120R012M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R012M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	1.975En stock	Bande coupée 23,89 € 16,50 € 16,46 € 15,56 € Bobine 14,52 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	144 A	12.2 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	600 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 15,32 € 235En stock	Fab. Numéro de référence IMBG120R022M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R022M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	235En stock	Bande coupée 15,32 € 11,67 € 9,73 € 8,67 € Bobine 8,09 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	87 A	21.6 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 11,64 € 1.593En stock	Fab. Numéro de référence IMBG120R026M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R026M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	1.593En stock	Bande coupée 11,64 € 7,10 € 6,97 € Bobine 6,63 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	75 A	25.4 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	335 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R234M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 4,53 € 3.601En stock 2.000Sur commande	Fab. Numéro de référence IMBG120R234M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R234M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Fiche technique	3.601En stock 2.000Sur commande	Bande coupée 4,53 € 2,36 € 2,14 € 1,89 € Bobine 1,88 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 1.000 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	8.1 A	233.9 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	7.9 nC	- 55 C	+ 175 C	80 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 9,81 € 79En stock 1.00031-12-26 attendu	Fab. Numéro de référence IMBG120R040M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R040M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	79En stock 1.00031-12-26 attendu	Bande coupée 9,81 € 6,94 € 5,78 € 5,15 € Bobine 4,82 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	52 A	39.6 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	8.1 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8,07 € 258En stock 1.00019-11-26 attendu	Fab. Numéro de référence IMBG120R053M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R053M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	258En stock 1.00019-11-26 attendu	Bande coupée 8,07 € 5,51 € 4,54 € 4,05 € Bobine 3,79 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	41 A	52.6 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	205 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 7,06 € 227En stock 2.00003-12-26 attendu	Fab. Numéro de référence IMBG120R078M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R078M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	227En stock 2.00003-12-26 attendu	Bande coupée 7,06 € 4,97 € 4,02 € 3,58 € Bobine 3,16 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	29 A	78.1 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	20.6 nC	- 55 C	+ 175 C	158 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R181M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,56 € 582En stock 4.000Sur commande	Fab. Numéro de référence IMBG120R181M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R181M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	582En stock 4.000Sur commande Dates d'expédition sur commande N° de fab. : IMBG120R181M2HXTMA1 Stock: 582 Expédition possible immédiatement Sur commande: 2.000 13-05-27 attendu 2.000 24-06-27 attendu Délai usine : 52 Semaines	Bande coupée 5,56 € 3,64 € 2,68 € 2,38 € Bobine 2,11 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	14.9 A	181.4 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.7 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R017M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 17,48 € 1.99919-11-26 attendu	Fab. Numéro de référence IMBG120R017M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R017M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	1.99919-11-26 attendu	Bande coupée 17,48 € 13,05 € 11,29 € 10,69 € Bobine 9,98 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	107 A	17.1 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	470 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R116M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,14 € 2.00003-12-26 attendu	Fab. Numéro de référence IMBG120R116M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R116M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	2.00003-12-26 attendu	Bande coupée 6,14 € 4,11 € 3,30 € 2,93 € Bobine 2,60 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	21.2 A	115.7 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	14.4 nC	- 55 C	+ 175 C	123 W	Enhancement

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