Incoterms:DDP Alle prijzen zijn inclusief rechten en douaneheffing op de geselecteerde verzendingswijzen.
Bevestig de selectie van de munteenheid:
Euro's Gratis verzending bij de meeste bestellingen van meer dan 75 € (EUR).
Amerikaanse dollars Gratis verzending bij de meeste bestellingen van meer dan $90 (USD).
Afbeelding zijn alleen ter referentie Zie productspecificaties
Delen
De link kan op dit moment niet worden gegenereerd. Probeer het opnieuw.
TO-220ACG SiC Schottky Barrier Diodes
ROHM Semiconductor TO-220ACG Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) feature a reverse voltage range of 650V to 1200V and a continuous reverse current range of 1.2µA to 20.0µA. SiC technology enables these devices to maintain a low capacitive charge (QC), reducing switching loss while enabling high-speed switching operation. In addition, unlike Si-based fast-recovery diodes, where the reverse recovery time increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.