NGTB25N/NGTB40N Isolated Gate Bipolar Transistors

onsemi NGTB25N and NGTB40N Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) feature a robust and cost-effective Ultra Field Stop Trench construction. Low switch losses and an ultra-fast recovery diode make them ideal for high frequency solar, UPS and inverter welder applications. Incorporated into these onsemi devices is a soft and fast co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Technologie
Verpakking / doos
Montagetype
Configuratie
Collector-emitterspanning VCEO max.
Collector-emitterverzadigingsspanning
Maximale gate-emitterspanning
Doorlopende voedingsverzamelaar op 25°
Pd - Vermogensverlies
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Reeks
Verpakken

onsemi IGBT's IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/UPS
Gegevensblad
1.253In voorraad
1.230Verwacht 12/01/2027
7,18 €
4,25 €
3,80 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 240
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 50 A 349 W - 55 C + 175 C NGTB25N120FL3 Tube

onsemi IGBT's IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS
Gegevensblad
1.571In voorraad
6,30 €
3,66 €
3,05 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 150
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 80 A 454 W - 55 C + 175 C NGTB40N120FL3 Tube