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SCT4045DWAHRTL

Name: ROHM Semiconductor SCT4045DWAHRTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4045DWAHRTL
Price: 10.47 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SCT4045DWAHRTL

N° de fab. :

SCT4045DWAHRTL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC

Fiche technique:

SCT4045DWAHRTL Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	750 V
Id - Courant continu de fuite:	31 A
Rds On - Résistance drain-source:	59 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	63 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	93 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Transconductance directe - min.:	9.3 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	16 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	Power MOSFET
Délai de désactivation type:	27 ns
Délai d'activation standard:	5.1 ns

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Fiche technique

SCT4045DWAHRTL Fiche technique

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Thaïlande
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance SiC AEC-Q101

Les MOSFET de puissance SiC AEC-Q101 de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les alimentations électriques automobiles et à découpage. Les MOSFET de puissance SiC peuvent être utilisés pour augmenter la fréquence de commutation, diminuant les volumes de condensateurs, de réacteurs et d'autres composants requis. Les MOSFET de puissance SiC AEC-Q101 offrent d'excellentes réductions de taille et de poids au sein de divers systèmes d'entraînement, tels que les onduleurs et les convertisseurs CC-CC dans les véhicules.

MOSFET de puissance SCT4045DWAHR AEC-Q101 à canal N en carbure de silicium (SiC)

Le MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) à canal N AEC-Q101 SCT4045DWAHR de ROHM Semiconductor est un dispositif de qualité automobile conçu pour des applications à haute efficacité et haute fiabilité dans des environnements difficiles. Avec une tension nominale drain-source de 750 V et un courant de drain continu de 31 A (à +25°C par puce), ce dispositif MOSFET double offre une résistance à l’état passant standard de seulement 45 mΩ par canal, permettant des pertes de conduction réduites et des performances thermiques améliorées. Emballé dans une configuration compacte TO-263-7LA, le SCT4045DWAHR de ROHM prend en charge des conceptions à haute densité et une gestion thermique efficace.

MOSFET de puissance SiC à canal N de 4e génération

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) à canal N de 4e génération de ROHM Semiconductor fournissent de faibles résistances à l'état passant avec des améliorations du temps de tenue aux courts-circuits. Les MOSFET SiC de 4e génération sont faciles à mettre en parallèle et à piloter. Les MOSFET offrent des vitesses de commutation élevées et unerécupération inverse rapide, de faibles pertes de commutation et une température de fonctionnement maximale de +175°C. Les MOSFET de puissance SSiC à canal N de 4e génération de ROHM prennent en charge une tension grille-source de 15 V, ce qui contribue à l'économie d'énergie du dispositif.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ROHM SEMICONDUCTOR

MOSFET SiC à canal N de 750 V

Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.

MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB

MOSFET SiC avec une tension de source de drain (V_DSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (I_D) de 3,9 A.

MOSFET de puissance SiC à canal N SCT40xKWA

Offre 1 200 V VDS, une faible résistance à l'état passant, une vitesse élevée de commutation et un temps de récupération rapide.

MOSFET de puissance SCT4045DWAHR AEC-Q101 à canal N en carbure de silicium (SiC)

Il présente une tension nominale drain-source de 750 V et un courant de drain continu de 31 A (à +25°C).

MOSFET de puissance SiC à canal N AEC-Q101 SCT4062KWAHR

Il dispose d'une tension nominale drain-source élevée de 1 200 V et d'un courant de drain continu de 24 A (à +25 °C).

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	7,26 €	72,60 €
	5,74 €	574,00 €
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SCT4045DWAHRTL

Fab. : ROHM Semiconductor

Description : SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC

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Fiche technique

Specification Sheets

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MOSFET de puissance SiC AEC-Q101

MOSFET de puissance SCT4045DWAHR AEC-Q101 à canal N en carbure de silicium (SiC)

MOSFET de puissance SiC à canal N de 4e génération

PRODUITS PRÉSENTÉS ROHM SEMICONDUCTOR

En stock: 1.996

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Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC

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