750 V UJ4C/SC SiC FET’s in D2PAK-7L package
UnitedSiC 750 V Qorvo UJ4C/SC SiC FET’s in D2PAK-7L package zijn verkrijgbaar in meerdere opties voor inschakelweerstand van 9 mΩ tot 60 mΩ. Deze apparaten maken gebruik van een unieke cascode SiC FET-technologie, waarbij een normaal-aan SiC JFET samen met een Si MOSFET wordt verpakt om een normaal-uit SiC FET te produceren en leveren een best-in-class RDS x Area Figure of Merit, wat resulteert in de laagste geleidingsverliezen in een kleine die. Het D2PAK-7L-pakket zorgt voor minder inductie door compacte interne verbindingslussen, wat samen met de meegeleverde Kelvin-bronaansluiting resulteert in een laag schakelverlies, waardoor een hogere frequentie en een betere vermogensdichtheid van het systeem mogelijk zijn. Vijf parallelle vleugelbronaansluitingen maken een lage inductie en een hoog stroomverbruik mogelijk. De zilversinter-matrijs resulteert in een zeer lage thermische weerstand voor maximale warmteafvoer op standaard PCB's en IMS-substraten met vloeistofkoeling. Deze SiC FET’s bieden een diode met een lage body, een ultralage poortlading en een drempelspanning van 4,8 V, die 0 V tot 15 Vaandrijving mogelijk maakt. De standaard poortaandrijvingseigenschappen van de FET's maken ze ideaal als vervanging voor Si IGBT's, Si FET's, SiC MOSFET's of Si super-junction-modules.
