SCT4018KRC15

ROHM Semiconductor
755-SCT4018KRC15
SCT4018KRC15

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC

Datenblatt:
ECAD Model:
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
81 A
23.4 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
312 W
Enhancement
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 22 S
Verpackung: Tube
Produkt: MOSFET's
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 21 ns
Verpackung ab Werk: 450
Unterkategorie: Transistors
Transistorpolung: N-Channel
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 13 ns
Artikel # Aliases: SCT4018KR
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Datenblatt

Specification Sheets

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Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs der 4. Generation

Die Leistungs-MOSFETs der 4. Generation mit N-Kanal aus Siliziumcarbid (SiC) von ROHM Semiconductor bieten niedrige On-Widerstände und eine verbesserte Kurzschlusstoleranz. Die MOSFETs der 4. Generation aus SiC lassen sich einfach parallel schalten und einfach ansteuern. Die MOSFETs zeichnen sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten/Sperrverzögerung, geringe Schaltverluste und eine maximale Betriebstemperatur von +175°C aus. Die N-Kanal SiC Leistungs-MOSFETs der 4. Generation von ROHM unterstützen eine 15 V Gate-Source-Spannung, die zur Energieeinsparung des Bauelements beiträgt.

Server-/Rechenzentrumslösungen

Das rasante Wachstum in den Bereichen Künstliche Intelligenz (KI), Cloud Computing und digitale Transformation führt zu einer beispiellosen Nachfrage nach höherer Leistung von Rechenzentren und erhöht gleichzeitig den Druck, die Energieeffizienz zu verbessern. ROHM Semiconductor kombiniert fortschrittliche Leistungs- und Analogtechnologien, um die Energieeffizienz von Servern zu maximieren, den Energieverbrauch von Kühlsystemen zu senken und nachhaltigere Infrastrukturen für Rechenzentren zu unterstützen. Von branchenführenden Siliziumkarbid(SiC)-Leistungsbauteilen und präzisen analogen integrierten Schaltkreisen (ICs) bis hin zu diskreten Bauteilen und Lösungen für das Energiemanagement – ROHM bietet Technologien, die Energieeinsparungen, eine höhere Zuverlässigkeit und kompakte Serverdesigns für Computeranwendungen der nächsten Generation ermöglichen.

Leistungs-MOSFET SCT4018KR mit N-Kanal aus Siliciumcarbid (SiC)

Der SCT4018KR N-Kanal-Siliziumkarbid(SiC)-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor  ist ein robustes Bauteil, das für eine hocheffiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Anwendungen optimiert ist. Mit einer Drain-Source-Nennspannung von 1.200 V und einem kontinuierlichen Drainstrom von 81 A (bei +25 °C) bietet der SCT4018KR von ROHM eine hervorragende Leistung in Hochspannungsumgebungen. Das Gerät verfügt über einen typischen niedrigen On-Widerstand von 18 mΩ und unterstützt schnelle Schaltgeschwindigkeiten, wodurch die Schaltverluste deutlich reduziert werden und die Gesamtsystemeffizienz verbessert wird. Der SCT4018KR ist in einem TO-247-4L Paket untergebracht und eignet sich gut für den Einsatz in industriellen Stromversorgungen Umrichter und Motorantrieben. Der SCT4018KR MOSFET nutzt die Vorteile der SiC-Technologie und bietet überlegene Wärmeleitfähigkeit, Hochtemperaturbetrieb und verbesserte Zuverlässigkeit, was ihn ideal für kompakte, leistungsstarke Stromversorgungssysteme macht.

AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs

Die AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für Automotive- und Schaltnetzteile. Die SiC-Leistungs-MOSFETs können zur Erhöhung der Schaltfrequenz eingesetzt werden, wodurch die Menge der erforderlichen Kondensatoren, Drosseln und anderen Komponenten verringert wird. Die AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs bieten eine ausgezeichnete Größen- und Gewichtsreduzierung in verschiedenen Antriebssystemen, wie z. B. Wechselrichtern und DC-DC-Wandlern in Fahrzeugen.

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