Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Ziet u een fout?

RH7G04CBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04CBJFRATCB
Price: 1.83 EUR
Availability: InStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

755-RH7G04CBJFRATCB

Fabrikantnr:

RH7G04CBJFRATCB

Fabrikant:

ROHM Semiconductor

Omschrijving:

MOSFET's Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

Levenscyclus:

Nieuw product:

Nieuw van deze fabrikant.

Gegevensblad:

RH7G04CBJFRATCB Gegevensblad

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRATCB

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	ROHM Semiconductor
Productcategorie:	MOSFET's
RoHS:
Technologie:	Si
Montagetype:	SMD/SMT
Verpakking / doos:	DFN-8
Polariteit transistor:	P-Channel
Aantal kanalen:	1 Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	40 V
Id - Continue afvoerstroom:	40 A
Rds On - Druppelbronweerstand:	17.7 mOhms
Vgs - Poort-bronspanning:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	2.5 V
Qg - Ingangsbelasting:	33 nC
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 55 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 175 C
Pd - Vermogensverlies:	62 W
Kanaalmodus:	Enhancement
Verpakken:	Reel
Verpakken:	Cut Tape
Merk:	ROHM Semiconductor
Configuratie:	Single
Daaltijd:	33 ns
Voorwaartse transconductantie - min:	13 S
Producttype:	MOSFETs
Stijgtijd:	16 ns
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	3000
Subcategorie:	Transistors
Transistortype:	1 P-Channel
Typische uitschakelvertragingstijd:	115 ns
Typische inschakelvertragingstijd:	11 ns

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

RH7G04CBJFRATCB Gegevensblad

Other

Voor deze functionaliteit moet JavaScript zijn ingeschakeld.

Conformiteitscodes

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificaties oorsprong

Land van oorsprong:: Japan
Land van herkomst van de assemblage:: Niet beschikbaar
Land van diffusie:: Niet beschikbaar

Het land kan op het moment van verzending wijzigen.

125°C I2C BUS EEPROMs for 2-Wire Automotive

ROHM Semiconductor 125°C I²C BUS EEPROMs for 2-Wire Automotive are AEC-Q100 qualified. The ROHM I²C BUS EEPROMs feature two ports of Serial Clock (SCL) and Serial Data (SDA) that all controls are available through. The EEPROMs operate from a wide limit of 1.7V to 5.5V, with a possible 1MHz operation.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RH7G04CBJFRA P-Ch Power MOSFET

ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRA P-Ch Power MOSFET is AEC-Q101 qualified for automotive applications, including infotainment, lighting, ADAS, and body. The device offers a -40V drain-source voltage and ±40A continuous drain current. The ROHM RH7G04CBJFRA MOSFET is available in a DFN-8 package.

UITGELICHTE PRODUCTEN

ROHM SEMICONDUCTOR

600V Super Junction (SJ) MOSFETs

Compact, low-profile package options that provide excellent heat dissipation.

Meer informatie

RH7G03BBJFRA P-Channel Power MOSFET

This MOSFET has a V_DSS rating of -40V and an I_D rating (V_DS = -10V) of ±22A.

Meer informatie

RJ1P10BAT P-Channel Power MOSFET

This MOSFET has a V_DSS rating of -100V and an I_D rating (V_DS = 10V) of ±105A.

Meer informatie

RD3x Automotive N-Channel Power MOSFETs

AEC-Q101 MOSFETs featuring low forward voltage, fast recovery time, and high surge capability.

Meer informatie

RQxAT P-Channel MOSFETs

Feature surface mount packaging with low ON resistance and are 100% Rg and UIS tested.

Meer informatie

In voorraad: 6.000

Voorraad:: 6.000 Kan onmiddellijk worden verzonden

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.
Fabriekslevertijd:: 16 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.

Voer het aantal in:

Minimum: 1 Veelvouden: 1

Eenheidsprijs:

-,-- €

Ext. Prijs:

-,-- €

Est. Tarief:

Prijsbepaling (EUR)

Hvh.	Eenheidsprijs	Ext. Prijs
	1,83 €	1,83 €
	1,18 €	11,80 €
	0,79 €	79,00 €
	0,628 €	314,00 €
	0,575 €	575,00 €
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 3000)
	0,517 €	1.551,00 €

RH7G04CBJFRATCB

Fabrikant: ROHM Semiconductor

Omschrijving: MOSFET's Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

Specificaties

Documenten (3)

Gegevensblad

Other

Milieudocumenten

Product- en handelsconformiteit

Meer informatie

125°C I2C BUS EEPROMs for 2-Wire Automotive

Electronic Vehicle (EV) Solutions

RH7G04CBJFRA P-Ch Power MOSFET

Andere klanten kochten ook

UITGELICHTE PRODUCTEN ROHM SEMICONDUCTOR

In voorraad: 6.000

Prijsbepaling (EUR)

Snelle weergave

Er is een onverwachte fout opgetreden.

Fabrikant:

ROHM Semiconductor

Omschrijving:

MOSFET's Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

UITGELICHTE PRODUCTEN

ROHM SEMICONDUCTOR