Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Terug naar zoekresultaten

Ziet u een fout?

CGHV96100F2

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

941-CGHV96100F2

Fabrikantnr:

CGHV96100F2

Fabrikant:

MACOM

Omschrijving:

GaN FET's GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt

Gegevensblad:

CGHV96100F2 Gegevensblad (PDF)

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over MACOM CGHV96100F2

Leveringsbeperking:

Mouser verkoopt dit product momenteel niet in uw regio.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	MACOM
Productcategorie:	GaN FET's
Leveringsbeperking:	Mouser verkoopt dit product momenteel niet in uw regio.
RoHS:
Montagetype:	Screw Mount
Verpakking / doos:	440210
Polariteit transistor:	N-Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	100 V
Id - Continue afvoerstroom:	12 A
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	- 3 V
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 40 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 150 C
Maximale werkingsfrequentie:	9.6 GHz
Minimale werkingsfrequentie:	7.9 GHz
Technologie:	GaN
Merk:	MACOM
Configuratie:	Single
Ontwikkelingskit:	CGHV96100F2-TB
Versterking:	12.4 dB
Uitgangsvermogen:	131 W
Verpakken:	Tray
Product:	GaN HEMTs
Producttype:	GaN FETs
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	10
Subcategorie:	Transistors
Transistortype:	GaN HEMT
Vgs - Doorslagspanning van ingangsbron:	- 10 V to 2 V
Gewicht per stuk:	65,235 g

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

CGHV96100F2 Gegevensblad (PDF)

PCN

Voor deze functionaliteit moet JavaScript zijn ingeschakeld.

Conformiteitscodes

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.b.2

Classificaties oorsprong

Land van oorsprong:: Verenigde Staten
Land van herkomst van de assemblage:: Niet beschikbaar
Land van diffusie:: Niet beschikbaar

Het land kan op het moment van verzending wijzigen.

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

X-Band GaN HEMTs & MMICs

MACOM X-Band Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) and Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) come with various solution platforms. That includes MMICs, internally matched GaN on SiC transistors (IM-FETs), and transistors. These multi-stage MMICs offer a variety of power levels, high gain, and high efficiency, while IM-FETs feature 50Ω building blocks in support of higher power systems. The transistors offer highly accurate modeling support that provides maximum flexibility to optimize amplifier design. The GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.

CGHV96100F2 GaN HEMT

MACOM CGHV96100F2 Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) on silicon carbide (SiC) substrate is an internally matched (IM) FET that offers excellent power-added efficiency compared to other technologies. GaN provides superior properties to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, saturated electron drift velocity, and thermal conductivity. These CGHV96100F2 GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths than GaAs transistors. This MACOM IM FET is available in a metal/ceramic flanged package for optimal electrical and thermal performance.