PJDx0P03E-AU P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJDx0P03E-AU P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are rugged and reliable MOSFETs with -30V drain-source voltage, ±25V gate-source voltage, and 3W power dissipation @TC=25°C. These MOSFETs feature a 50°C/W junction to ambient thermal resistance, -55°C to 175°C operating temperature range, and -2.5V maximum gate-threshold voltage. The PJDx0P03E-AU MOSFETs are AEC-Q101 qualified, 100% UIS tested, and lead-free in compliance with EU RoHS 2.0.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer Fabrikant Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid. Hvh. RoHS ECAD-model Technologie Montagetype Verpakking / doos Polariteit transistor Aantal kanalen Vds - Doorslagspanning van druppelbron Id - Continue afvoerstroom Rds On - Druppelbronweerstand Vgs - Poort-bronspanning Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron Qg - Ingangsbelasting Minimale bedrijfstemperatuur Maximale bedrijfstemperatuur Pd - Vermogensverlies Kanaalmodus Kwalificatie Verpakken
Panjit MOSFET's 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2.928In voorraad
Gesneden tape
0,834 €
0,467 €
Spoel
0,467 €
Min.: 1
Veelv.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 33 A 30.7 mOhms 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET's 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2.412In voorraad
Gesneden tape
1,11 €
0,698 €
0,516 €
Spoel
0,516 €
Min.: 1
Veelv.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 77 A 13.5 mOhms 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape