Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Ziet u een fout?

NVH4L015N065SC1

Name: onsemi NVH4L015N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L015N065SC1
Price: 34.13 EUR
Availability: InStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

863-NVH4L015N065SC1

Fabrikantnr:

NVH4L015N065SC1

Fabrikant:

onsemi

Omschrijving:

SiC MOSFET's SIC MOS TO247-4L 650V

Gegevensblad:

NVH4L015N065SC1 Gegevensblad

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over onsemi NVH4L015N065SC1

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	onsemi
Productcategorie:	SiC MOSFET's
RoHS:
Verpakking / doos:	TO-247-4
Handelsnaam:	EliteSiC
Merk:	onsemi
Verpakken:	Tube
Producttype:	SiC MOSFETS
Reeks:	NVH4L015N065SC1
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	30
Subcategorie:	Transistors
Technologie:	SiC

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

NVH4L015N065SC1 Gegevensblad

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Conformiteitscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificaties oorsprong

Land van oorsprong:: China
Land van herkomst van de assemblage:: China
Land van diffusie:: Republiek Korea

Het land kan op het moment van verzending wijzigen.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.