ISSI Speicher-ICs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt
Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
ISSI SRAM 1Mb (128Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
Datenblatt
213erwartet ab 16.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT 1 Mbit Parallel
ISSI NOR-Flash 64Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS
Datenblatt
180erwartet ab 14.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 64 Mbit QPI, SPI
ISSI NAND-Flash 1G 3V x8 1-bit NAND-Flash
Datenblatt
96erwartet ab 10.08.2027
Min.: 1
Mult.: 1

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 1 Gbit Parallel
ISSI NAND-Flash 2G 3.3V x8 1-bit NAND-Flash I-Temp
Datenblatt
96erwartet ab 02.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
Datenblatt
348Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
190erwartet ab 22.07.2027
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-60
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
Datenblatt
216erwartet ab 10.08.2027
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
Datenblatt
108erwartet ab 02.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
108Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
239Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
200erwartet ab 19.03.2027
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit
ISSI IS25WP512M-RMLE-TY
ISSI NOR-Flash 512Mb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS. dedicated reset pin, Tray
Datenblatt
646erwartet ab 16.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

NOR Flash SMD/SMT SOIC-16 512 Mbit QPI
ISSI IS46TR16640C-125JBLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
Datenblatt
190erwartet ab 10.08.2027
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96
ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
DRAM SMD/SMT BGA-96 16 Gbit
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns/2.4V-3.6V,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SRAM SMD/SMT BGA-36 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Serial
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Serial
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SRAM SMD/SMT mBGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT mBGA-48 16 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,128K x 16,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb (256K x 8) 10ns Async SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel