ISSI Speicher-ICs

Ergebnisse: 2.945
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS Produkt Produkt-Typ Montageart Verpackung/Gehäuse Speichergröße Schnittstellen-Typ
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190
DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500
DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
DRAM SMD/SMT BGA-96 8 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500
DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500
DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
DRAM SMD/SMT BGA-96 16 Gbit