SRAM for Data Acquisition

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SRAM for Data Acquisition

SRAM stands for static random-access memory, a kind of memory chip that uses flip-flop type latching circuitry to store by the bit. SRAM can use very little power when sitting idle for long periods, and thus is better suited for certain applications over other types of memory. Learn More

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Maximale Betriebstemperatur
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Verpackung/Gehäuse
Verpackung

Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 1.7V SERIAL SRAM IND
Datenblatt
184erwartet ab 31.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
ISSI IS61WV204816BLL-10TLI
ISSI SRAM 32Mb High-Speed Async 2Mbx16 10ns
Datenblatt
3.840Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

32 Mbit 2 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
1.930Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
1.755erwartet ab 16.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 4M (512Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
Datenblatt
1.918erwartet ab 16.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-36 Tray
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
Datenblatt
471erwartet ab 25.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray

ISSI SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM
Datenblatt
395erwartet ab 24.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 3 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 16M (1Mx16) 25ns Async SRAM
Datenblatt
384erwartet ab 05.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 1 M x 16 25 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray

ISSI SRAM 1M (128Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
Datenblatt
963erwartet ab 16.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
551erwartet ab 20.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
480erwartet ab 18.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
144erwartet ab 09.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI IS62C5128EL-45TLI
ISSI SRAM 4Mb,Low Power,Async,512K x 8,45ns,5v,32 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
351erwartet ab 20.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-32
ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 45MHz Serial SRAM IT
Datenblatt
100erwartet ab 31.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 15 ns 45 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tray

ISSI SRAM 16Mb 10ns 1Mbx16 Async SRAM 2.4V-3.6V
Datenblatt
1erwartet ab 14.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
Datenblatt
956Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
270erwartet ab 16.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44
ISSI SRAM 1Mb (128Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
Datenblatt
213erwartet ab 16.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM Vbat
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.300

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape

Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 1.7V SERIAL SRAM IND
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Tube