Reel SRAM

Ergebnisse: 1.161
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Qualifikation Verpackung
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
QFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,512K x 36,7.5ns,2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
QFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,2Mb x 18,200Mhz,2.5v - I/O,100 Pin QFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 512Kb, Serial SRAM, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

512 kbit 64 k x 8 20 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
ISSI SRAM 72Mb,Flowthrough,Sync,2Mb x 36, 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP,RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 36,250Mhz,2.5v I/O,165 Ball BGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,100 Pin TQFP,RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Reel
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 185 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 185 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,7.5ns,3.3v or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 2Mb,Flow-Through,Sync,64K x 36,8.5ns,3.3v or 2.5v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

2 Mbit 64 k x 36 8.5 ns 90 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 150 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 2Mb,Pipeline Burst,Sync,64K x 32,133Mhz,3.3v,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

2 Mbit 64 k x 32 4 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 2Mb,Pipeline Burst,Sync,64K x 36,133Mhz,3.3v,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

2 Mbit 64 k x 32 4 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP,3CE, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O, 165 Ball BGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3v or 2.5v I/O,165 Ball BGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

18 Mbit 3.1 ns 200 MHz 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3v or 2.5v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

18 Mbit 3.1 ns 200 MHz 3.465 V 3.135 V 425 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel