Types de Semi-conducteurs
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= ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V
07-21-2026
07-21-2026
Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.
ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC
04-10-2026
04-10-2026
Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.
ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés
03-17-2026
03-17-2026
Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.
ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel TLR2728YFJ-C
12-11-2025
12-11-2025
Amplificateur opérationnel double CMOS à entrée/sortie rail à rail et à haute vitesse .
ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel LMRx802-LB
11-24-2025
11-24-2025
L’ampli op présente un faible niveau de bruit, une tension de décalage d’entrée faible et un faible courant de polarisation d’entrée.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RH7G03BBJFRA
11-18-2025
11-18-2025
Ce MOSFET possède une tension VDSS nominale de -40 V et une tension ID nominale (VDS = -10 V) de ±22 A.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RJ1P10BAT
11-18-2025
11-18-2025
Ce MOSFET a une tension VDSSnominale de -100 V et une tension ID nominale (VDS = 10 V) de ±105 A.
ROHM Semiconductor Diode à broche RN789FM
11-18-2025
11-18-2025
Petit boîtier moulé, adapté à un circuit de contrôle automatique du gain et à un amplificateur/atténuateur d’antenne.
ROHM Semiconductor Convertisseur A/N BD79124MUF-C
11-18-2025
11-18-2025
Convertisseur A/N à approximation successive polyvalent, 12 bits et 8 canaux.
ROHM Semiconductor Convertisseurs à circuits intégrés BM2P10xJ-ZCC/CC de type PWM
11-03-2025
11-03-2025
Ils comportent un MOSFET intégré de commutation de 730 V et fonctionnent directement sur secteur CA haute tension.
ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V
10-17-2025
10-17-2025
Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x
10-16-2025
10-16-2025
MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.
ROHM Semiconductor CI convertisseurs CC/CC de type MLI BM2P06xJ-Z
09-26-2025
09-26-2025
Conçu pour les applications d'alimentation CA-CC isolée compactes et efficaces.
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G115MUV-EVK-003
08-27-2025
08-27-2025
Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT BM3G115MUV.
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G107MUV-EVK-003
08-27-2025
08-27-2025
Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT au GaN BM3G107MUV.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB
08-21-2025
08-21-2025
MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.
ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S
08-21-2025
08-21-2025
Une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.
ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT
08-21-2025
08-21-2025
Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.
ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFH
08-21-2025
08-21-2025
Diodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG
08-21-2025
08-21-2025
MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.
ROHM Semiconductor Diode PIN RN242SM
08-20-2025
08-20-2025
Présente une faible capacité et un boîtier moulé ultra-compact, adapté à la commutation haute fréquence.
ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V
08-19-2025
08-19-2025
Un MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA
08-19-2025
08-19-2025
Un MOSFET de qualité automobile avec une VDSS de -60 V et une ID de ±36 A, homologué AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04
08-19-2025
08-19-2025
Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03
08-19-2025
08-19-2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.
Consulter : 1 - 25 sur 218
Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN Evaluation Board
08-06-2026
08-06-2026
Gate driver evaluation board for CoolGaN™ bidirectional switch designs.
Infineon Technologies PSOC™ Control C1 Microcontrollers
08-06-2026
08-06-2026
32-bit control MCUs with Arm® Cortex®-M0 CPU and MATH coprocessor.
Infineon Technologies CoolGaN™ BDS Evaluation Boards
08-06-2026
08-06-2026
Compact daughter boards for evaluating 40V GaN bidirectional switches.
Analog Devices Inc. Kit d'évaluation MAX22915EVKIT
08-04-2026
08-04-2026
Une conception éprouvée pour évaluer le MAX22915, un commutateur à 8 canaux doté d'un diagnostic avancé.
Texas Instruments Module d'évaluation TPS25752A
08-04-2026
08-04-2026
Prend en charge les applications USB Type-C® et Power Delivery (PD) à port unique en mode source uniquement.
Texas Instruments TPS7H3xx4EVM-CVAL Evaluation Modules
08-04-2026
08-04-2026
Radiation-tolerant supervisor evaluation modules with flexible rail monitoring.
Analog Devices Inc. Carte d'évaluation MAX22215
08-04-2026
08-04-2026
Conçue pour évaluer le MAX22215 en combinaison avec le système de carte d'évaluation TRINAMIC.
Würth Elektronik Optocoupleurs à haute vitesse WL-OCHS
08-04-2026
08-04-2026
Ils offrent une vitesse de transmission très élevée, fonctionnant dans la plage des MHz aux Mbit/s.
Texas Instruments TRF2001 ISM Band Multiprotocol & Wi-SUN RF FEM
08-04-2026
08-04-2026
A high-performance RF FEM for low-power wireless applications in the sub-1GHz band.
Texas Instruments Module d'évaluation ISO7741U
08-04-2026
08-04-2026
Module d'évaluation quatre canaux à isolation galvanique en boîtier SSOP ultra-large (DUW-16).
Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD Protection Diodes
08-04-2026
08-04-2026
Automotive ESD protection diodes for CAN, CAN FD, CAN SIC, and CAN XL networks.
NXP Semiconductors Carte de développement FRDM i.MX 95 Pro
08-04-2026
08-04-2026
Évalue le processeur d'applications i.MX 95 dans un boîtier compact de 19 mm x 19 mm.
Analog Devices Inc. Commutateur côté haut octal industriel MAX22915
08-04-2026
08-04-2026
CAN 7 bits intégré pour surveiller la température de la puce, le courant de sortie par canal ou la tension d'alimentation VDD.
Texas Instruments Module d'évaluation BQ25640EVM
08-03-2026
08-03-2026
Système d’évaluation complet pour le circuit intégré BQ25640, un chargeur de batterie mono-cellule abaisseur.
Chip Quik DFN-6 to DIP-6/10 SMT Adapters
08-03-2026
08-03-2026
Constructed using FR-4 material and PCB measures 25.4mm x 7.62mm x 1.6mm.
STMicroelectronics Cartes promotionnelles EVL9965T/EVL99BM2T
07-30-2026
07-30-2026
Ces cartes promotionnelles intègrent l’émetteur-récepteur BMS L9965T ou L99BM2T dans un système BMS.
Infineon Technologies Carte d'évaluation DEMO_HV_PACKAGE
07-30-2026
07-30-2026
Explorez les boîtiers haute tension avec CoolSiC™ et CoolMOS™ pour des performances d'alimentation efficaces et fiables.
STMicroelectronics Cartes promotionnelles EVL9965C-L/EVL99BM2C-L
07-30-2026
07-30-2026
Cartes promotionnelles pour le L9965C-L/L99BM2C-L pour surveiller le courant, la charge et l’isolation.
NXP Semiconductors Émetteurs-récepteurs CAN doubles à haute vitesse TJA1046
07-30-2026
07-30-2026
Émetteurs-récepteurs CAN doubles à haute vitesse avec mode veille et prise en charge du CAN FD.
onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)
07-30-2026
07-30-2026
Conçus pour remplacer un seul dispositif et son réseau externe de polarisation de résistance.
STMicroelectronics Cartes promotionnelles EVL9965A/EVL99BM218
07-30-2026
07-30-2026
Cartes promotionnelles pour les dispositifs L9965A/L99BM218 dans les systèmes de gestion de batterie.
onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L
07-30-2026
07-30-2026
Présente une faible RDS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.
STMicroelectronics Cartes promotionnelles EVL9965P-N/EVL99BM2P-FN
07-30-2026
07-30-2026
Elles fournissent à l’utilisateur une plateforme pour évaluer les dispositifs L9965P/L99BM2P dans un boîtier QFN.
Chip Quik Extra-Narrow SMT-to-DIP Adapters
07-29-2026
07-29-2026
Designed to replace obsolete DIP ICs with newer surface-mount components.
STMicroelectronics Unité de contrôle électronique (ECU) de distribution d’énergie STEVAL-PDUBV1
07-28-2026
07-28-2026
Basé sur le microcontrôleur (MCU) Chorus 6M SPC58NG84E7 et les dispositifs STi2Fuse.
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