Les plus récent(e)s MOSFET – Mouser Belgique

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onsemi NVMTS1D1N08X N‐Channel Power MOSFETs

09-17-2026

- 80V automotive MOSFETs with low on-resistance and soft-recovery body diode.

Vishay MOSFET de puissance 40 V à canal P automobile SQD50P04-09L

09-16-2026

- Le dispositif est idéal pour les applications de contrôle de la puissance dans le secteur automobile, la distribution d’énergie et les applications industrielles.

onsemi MOSFET de puissance à canal N simple 80 V

08-25-2026

- Offrent une faible RDS(on), pour réduire les pertes par conduction, pour une faible QG et pour une capacité à réduire les pertes de pilotes.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08-12-2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG

08-10-2026

- Conçu pour garantir un niveau élevé de tension et de robustesse pour les applications automobiles.

onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

07-30-2026

- Présente une faible RDS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V

07-21-2026

- Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile

05-27-2026

- Dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement.

Texas Instruments MOSFET 6 V 2N7002L à canal N

05-18-2026

- Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en conservant des performances de commutation rapides.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

04-14-2026

- Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04-07-2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04-06-2026

- MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.

Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P

03-31-2026

- Idéal pour la commutation à haute vitesse, les commutateurs de gestion de l’alimentation les convertisseurs CC-CC et les pilotes de moteurs.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG

03-31-2026

- Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N

03-27-2026

- Performances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

03-27-2026

- Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03-24-2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 8

03-17-2026

- Il s’agit de MOSFET de puissance à canal N, de niveau normal 80 V ou 100 V avec une résistance de conduction très faible [RDS(ON)].

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

03-13-2026

- Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03-06-2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N

03-05-2026

- Dispositifs de canal N, de niveau normal, 80 V avec une résistance thermique supérieure dans un boîtier PG‑TDSON‑8.

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