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STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phase Inverter & IGBT SLLIMM

08-19-2026

- This device is ideal for motor drives operating up to 20kHz in hard-switching circuitry.

STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor

08-11-2026

- Bietet extrem niedrige Leitungsverluste, Hochstromfähigkeit und ultraschnellen Schaltbetrieb.

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor

08-10-2026

- Ausgelegt für hocheffiziente und leistungsstarke Schaltapplikationen.

STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET

08-10-2026

- Darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für Fahrzeuganwendungen zu gewährleisten.

STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

03-31-2026

- Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

12-04-2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.

STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor

11-07-2025

- Basiert auf GaN-Technologie und ist für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs-Applikationen konzipiert.

STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

10-28-2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR, der für eine effiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Applikationen optimiert ist.

STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA Fahrzeug Leistungsmodul

09-26-2025

- Bietet eine Sixpack Topologie mit NTC für die DC/DC-Wandler Stufe des OBC in Elektrofahrzeugen.

STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA Fahrzeug-Leistungsmodul

09-26-2025

- Bietet eine 3-Phasen 4-wire PFC -Topologie mit integriertem NTC für den OBC in Hybrid- & Elektrofahrzeugen.

STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2

05-22-2025

- Durch Implementierung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt.

STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT mit Diode

12-24-2024

- Kombiniert zwei IGBTs und Dioden in einer Halbbrücken-Topologie.

STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT

09-12-2024

- Mit einem fortschrittlichen Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT

09-12-2024

- Mit einem fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.

STMicroelectronics MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

07-22-2024

- 800 V, durch Zener-Diode geschützt, zu 100 % Avalanche-getestet und ideal für Sperrwandler und LED-Beleuchtung.

STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Automobilstandard-IGBT der MS-Baureihe

07-03-2024

- 1200 V, 40 A, verlustarm, niedriger thermischer Widerstand und in einem TO-247-Gehäuse mit langer Anschlussleitung erhältlich.

STMicroelectronics STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

12-01-2023

- Sie sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V.

STMicroelectronics STGD4H60DF 600 V 4 A Hochgeschwindigkeits-IGBT der H-Baureihe

10-31-2023

- Mit einer fortschrittlichen trench-gate-field-stop-Struktur ausgelegt.

STMicroelectronics ACEPACK-DMT-32-Leistungsmodul M1F45M12W2-1LA

10-19-2023

- Entwickelt für die DC/DC-Wandlerstufe von Hybrid- und Elektrofahrzeugen.

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET

10-01-2023

- Verwendet MDmesh K6-Technologie auf Basis von 20 Jahren Erfahrung im Bereich der Superjunction-Technologie.

STMicroelectronics SH63N65DM6AG Leistungs-MOSFET

08-18-2023

- Automotive-grade N-channel MDmesh DM6 half‑Brückentopologie-Leistungs-MOSFET mit 650 V Sperrspannung.

STMicroelectronics STL120N10F8 100-V-n-Kanal-STripFET-MOSFET

05-08-2023

- Das Bauelement nutzt die STripFET-F8-Technologie von ST, die eine verbesserte Trench-Gate-Struktur aufweist.

STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650 V 80 A HB-Baureihe IGBT

03-24-2023

- Verfügen über zwei IGBTs und Dioden in einem kompakten, robusten, oberflächenmontierbaren Gehäuse.

STMicroelectronics STD80N450K6 800 V 10 A MDmesh-K6-Leistungs-MOSFET

01-25-2023

- Hochspannungs-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Zener-Schutz und 100 % Avalanche.

STMicroelectronics STP80N450K6 800-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

10-19-2022

- Hochspannungs-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mit der ultimativen MDmesh-K6-Technologie ausgelegt ist.

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STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phase Inverter & IGBT SLLIMM

08-19-2026

- This device is ideal for motor drives operating up to 20kHz in hard-switching circuitry.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08-12-2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor

08-11-2026

- Bietet extrem niedrige Leitungsverluste, Hochstromfähigkeit und ultraschnellen Schaltbetrieb.

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor

08-10-2026

- Ausgelegt für hocheffiziente und leistungsstarke Schaltapplikationen.

STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET

08-10-2026

- Darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für Fahrzeuganwendungen zu gewährleisten.

onsemi NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET

07-30-2026

- Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und einen niedrige Gate-Schwellenwert mit integriertem ESD-Schutz.

onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)

07-30-2026

- Für den Ersatz eines einzelnen Bauteils und sein externes Widerstands-Bias-Netzwerk konzipiert.

ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs

07-21-2026

- Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.

onsemi GaNEXUS™ GaN-FETs

07-08-2026

- Wide-Bandgap-Materialeigenschaften für niedrige Gate- und Ausgangsladung, schnelles Schalten und einen verbesserten Wirkungsgrad.

Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs

06-19-2026

- Zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06-18-2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies EasyPACK™ S-Module

06-12-2026

- Effiziente Leistungsumwandlung in einem kompakten, einfach zu integrierenden Gehäuse, das für moderne Leistungsdesigns ausgelegt ist.

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge

05-27-2026

- Fortschrittliche n-Kanal-Bauteile für hocheffiziente Leistungsschaltung.

Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs

05-18-2026

- Entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.

Infineon Technologies CIPOS™ Prime CoolSiC™-Leistungsmodule für Fahrzeuganwendungen

05-06-2026

- Leistungsmodule sind für hohe Leistung in xEV-Anwendungen ausgelegt.

onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

04-14-2026

- Optimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.

ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule

04-10-2026

- Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04-07-2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET

04-06-2026

- Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul

04-02-2026

- Dieses Bauteil reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen um bis zu 15 %.

STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

03-31-2026

- Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs

03-31-2026

- Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter DC/DC-Wandler und Motortreiber.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V

03-27-2026

- Bietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal

03-27-2026

- Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03-24-2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

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