Abgeschirmte Einzelspulen-Leistungsinduktivitäten

Würth Elektronik bietet eine große Auswahl von abgeschirmten Einzelspulen-Induktivitäten. Diese Induktivitäten sind in Ausführungen mit hohem Sättigungsstrom, niedrigem Profil, niedrigem DC-Widerstand (RDC), hohe Leistungsfähigkeit, Robustheit, SMT und Standard verfügbar. Die abgeschirmten Einzelspulen-Leistungsinduktivitäten von Würth Elektronik sind häufig für den Einsatz in DC/DC-Wandlern ausgelegt und verfügen über ein robustes Design für fortschrittliche Applikationen.

Arten von Induktivitäten, Drosseln und Spulen
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Induktivität
Abweichungstoleranz
Maximaler Gleichstrom (DC)
Montage
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-MAIA 2510 4.7uH 2 0% 1.4A 388mOhms AE
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2.794Auf Lager
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: 3.000

4.7 uH 20 % 1.4 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-MAIA 3.3uH 4.45A 5 1.8mOhms AEC-Q200
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1.498Auf Lager
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3.3 uH 20 % 4.45 A SMD/SMT + 110 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-LQS 2.2uH 3A DCR=31.6mOhms AEC-Q200
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: 2.500

2.2 uH 30 % 3 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-LQS 3.3uH 3.48A DCR=25mOhms AEC-Q200
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: 2.000

3.3 uH 30 % 3.48 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-TPC 1038 47uH 1.75A .132Ohm
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1.782Auf Lager
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: 800

47 uH 30 % 1.75 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-TPC 8020 0.18uH 8.5A .0035Ohm
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: 550

180 nH 30 % 8.5 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-SPC SMD 4838 6.8uH 2A .051Ohm
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: 500

6.8 uH 30 % 2 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-SPC SMD 4838 47uH 0.80A .305Ohm
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47 uH 30 % 800 mA SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-HCM SMD Power 72nH 30A 155MHz
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1.909Auf Lager
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72 nH 20 % 30 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-HCM SMD Power 155nH 31A 110MHz
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155 nH 20 % 31 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-HCI 130nH 22A DCR=910mOhms AEC-Q200
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130 nH 20 % 22 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-HCI 2uH 6.5A DCR=14.2mOhms AEC-Q200
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1.776Auf Lager
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2 uH 20 % 6.5 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-HCI 470nH 18A DCR=1.35mOhms AEC-Q200
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470 nH 20 % 18 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-HCI 2uH 11.5A DCR=5.85mOhms AEC-Q200
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: 1.000

2 uH 20 % 11.5 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-LHMI Powr SMD4012 10uH 1.2A 463mOhm
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: 4.000

10 uH 20 % 1.2 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-LHMI 560nH 6A DCR=16mOhms AECQ200
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: 3.000

560 nH 20 % 6 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-LHMI Powr SMD5030 1uH 7.3A 14mOhm
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2.960Auf Lager
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1 uH 20 % 7.3 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-LHMI Powr SMD7050 3.3uH 6.0A 20.9mOhm
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: 800

3.3 uH 20 % 6 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-HCF 13A 100uF 20% 2920 35.9mOhms
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100 uH 20 % 8.8 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD 2.2uH 20% 1.8A DCR=0.05mOhms
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Produkt-Kommentare
2.135Auf Lager
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: 500

2.2 uH 20 % 1.8 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD3 PWR Inductor 4.7uH 1.4A 0.06ohm
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4.7 uH 20 % 1.4 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD 4.7uH 9.3A DCR=11mOhms AEC-Q200
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: 250

4.7 uH 20 % 9.3 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD 1 mH 200mA DCR=9.44Ohms AEC-Q200
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1.911Auf Lager
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: 1.000

1 mH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PMI Power Multilayer Inductor
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5.874Auf Lager
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1.5 uH 20 % 1.1 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD HV 7345 220uH 0.56A 1.3Ohm
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1.817Auf Lager
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: 1.000

220 uH 20 % 560 mA SMD/SMT + 125 C