STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB
Le transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB de STMicroelectronics est un transistor à mode d'enrichissement de 100 V et 201 A qui permet des pertes de conduction extrêmement faibles, des capacités de courant élevé et une exploitation à commutation ultra-rapide. Ce transistor opère avec une fréquence de commutation élevée, permettant des conceptions compactes à haute densité de puissance avec des composants passifs de petite taille et une gestion thermique simplifiée. Le transistor SGT3D5R10MEB fonctionne avec une résistance de drain RDS(ON) standard de 2,7 mΩ et une plage de température de fonctionnement de jonction de -40 °C à +150 °C. Ce transistor PowerGaN est idéal pour les convertisseurs CC-CC, les pilotes de moteur et les systèmes MPPT solaires.
Caractéristiques
- Boîtier à refroidissement double face
- Le mode d'enrichissement est normalement désactivé dans le transistor
- Capacités extrêmement faibles
- Résistance de drain RDS(ON) standard de 2,7 mΩ
- Dissipation d'énergie totale (PTOT) de 255 W à TC = 25 °C
- Plage de température de jonction de fonctionnement : de -40 °C à +150 °C
- Capacité de gestion de l'alimentation élevée
- Retard de commutation très élevé
- Aucune charge inverse de récupération
Applications
- Convertisseurs CC/CC
- Pilotes de moteur
- MPPT système solaire
Vidéos
Publié le: 2026-08-03
| Mis à jour le: 2026-09-01