onsemi NVMTS1D1N08X N‐Kanal-Leistungs-MOSFETs
Onsemi NVMTS1D1N08X n‐Kanal-Leistungs-MOSFETs bieten Hochstromschaltung für die Leistungsumwandlung und Motorsteuerung für Fahrzeuge. Die MOSFETs kombinieren einen niedrigen On-Widerstand mit einer geringen Gate-Ladung und Kapazität, um Leitungs- und Treiberverluste zu minimieren. Eine Body-Diode mit geringer Rückgewinnungsladung und Soft-Recovery unterstützt effizientes Schalten in anspruchsvollen Stromversorgungssystemen.
Die NVMTS1D1N08X MOSFETs von onsemi sind für die synchrone Gleichrichtung in AC/DC- und DC/DC-Wandlern, die Primärschaltung in isolierten DC/DC-Wandlern, Motorantriebe und 48-V-Fahrzeugsysteme ausgelegt. Die AEC-Q101-Qualifizierung, PPAP-Fähigkeit und 100 % Avalanche-Prüfung unterstützen die Zuverlässigkeit von Fahrzeugen. Das kompakte PQFN88-3L-Gehäuse ermöglicht eine hohe Leistungsdichte und eine effiziente thermische Leistung.
Merkmale
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Geringe Gate-Ladung und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
- Niedrige Rückgewinnungsladung mit Body-Diode mit Soft-Recovery
- 100 % Avalanche-getestetes Design
- AEC-Q101-Qualifizierung und PPAP-Fähigkeit
- Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
Applikationen
- Synchrone Gleichrichtung in DC/DC-Wandlern
- Synchrone Gleichrichtung in AC/DC-Wandlern
- Motorantriebe
- Primärschaltung in isolierten DC/DC-Wandlern
- 48V-Automotive-Systeme
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung von 80 V
- Maximaler Drain-Source-Einschaltwiderstand von 1,0 mΩ bei VGS = 10 V und ID = 32 A
- Kontinuierlicher Drainstrom von 352 A bei TC = 25 °C
- Kontinuierlicher Drainstrom von 249 A bei TC = 100 °C
- Gepulster Drainstrom von 2059 A
- Body-Dioden-Dauerstrom von 346 A bei TC = 25 °C
- Gate-Source-Spannung von 20 V
- Gate-Schwellenspannungsbereich von 2,4 V bis 3,6 V
- Maximale Verlustleistung von 250 W bei TC = 25 °C
- Einzelimpuls-Avalanche-Energie von 500 mJ
- Typische Gate-Ladung von 121 nC
- Typische Ausgangsladung von 178 nC
- Typische Rückgewinnungsladung von 316 nC
- Typische Rückgewinnungszeit von 34 ns
- Schaltzeiten
- Typische Einschaltverzögerungszeit von 35 ns
- Typische Ansprechzeit von 24 ns
- Typische Abschaltverzögerungszeit von 65 ns
- Typische Abfallzeit von 13 ns
- Thermischer Widerstand
- Thermischer Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand von 0,3 °C/W (typisch) und 0,6 °C/W (max.)
- Thermischer Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand von 30 °C/W (max.)
- Sperrschichtbetriebs- und Lagertemperaturbereich von –55 °C bis +175 °C
- PQFN88-3L Gehäuse mit Einzelkühlung
Gehäusetyp
Veröffentlichungsdatum: 2026-09-01
| Aktualisiert: 2026-09-17