STDRIVEG211Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG211Q
STDRIVEG211Q

Fabrikant:

Omschrijving:
Poortdrivers High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
Voltooi uw ontwerp

Levenscyclus:
Nieuw product:
Nieuw van deze fabrikant.
Gegevensblad:
ECAD-model:
Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.
Meer informatie
Meer informatie over STMicroelectronics STDRIVEG211Q

Productkenmerk Kenmerkwaarde Selecteer kenmerk
STMicroelectronics
Productcategorie: Poortdrivers
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1 A, 2.4 A
3.3 V
20 V
Inverting
22 ns
11 ns
- 40 C
+ 125 C
Tray
Merk: STMicroelectronics
Ontwikkelingskit: EVLSTDRIVEG611
Vochtgevoelig: Yes
Operationele Voeding: 1.02 nA
Uitgangspanning: 220 V
Producttype: Gate Drivers
Voortplantingsvertraging - max: 60 ns
Rds On - Druppelbronweerstand: 7 Ohms
Uitschakeling: Shutdown
Verpakkingshoeveelheid af fabriek: 490
Subcategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
Gevonden producten:
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.
Geselecteerde attributen: 0

Gegevensblad

Voor deze functionaliteit moet JavaScript zijn ingeschakeld.

Conformiteitscodes
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Classificaties oorsprong
Land van oorsprong:
Thailand
Land van herkomst van de assemblage:
Niet beschikbaar
Land van diffusie:
Niet beschikbaar
Het land kan op het moment van verzending wijzigen.

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.

STDRIVEG211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG211 Half-Bridge Gate Drivers are designed for N‑channel enhancement mode GaN, and the high-side driver section can withstand a voltage rail up to 220V. These drivers feature high current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs. This makes them optimized for driving high-speed GaN. The STDRIVEG211 half-bridge gate drivers feature supply UVLOs tailored to hard switching applications, interlocking to avoid cross-conduction conditions, and an overcurrent comparator with SmartSD. These drivers offer an extended range for input pins that allows easy interfacing with controllers. A standby pin allows for reducing the power consumption during inactive periods or burst mode. Applications include solar micro inverters, Class D audio amplifiers, E-bikes, LED lighting, USB-C, power tools, and robotics.

In voorraad: 664

Voorraad:
664 Kan onmiddellijk worden verzonden
Fabriekslevertijd:
52 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.
Minimum: 1   Veelvouden: 1
Eenheidsprijs:
-,-- €
Ext. Prijs:
-,-- €
Est. Tarief:

Prijsbepaling (EUR)

Hvh. Eenheidsprijs
Ext. Prijs
2,56 € 2,56 €
1,92 € 19,20 €
1,76 € 44,00 €
1,58 € 158,00 €
1,50 € 375,00 €
1,44 € 705,60 €
1,38 € 1.352,40 €
1,32 € 3.880,80 €

Er is een onverwachte fout opgetreden.


Hebt u een vraag? Bezoek het Helpcentrum.
Voor vragen over een specifieke bestelling kunt u inloggen op uw account.

Als u nog meer problemen ondervindt, neem dan contact met ons op via 800-346-6873 of stuur een e-mail naar help@mouser.com.