NTH4L025N065SC1

onsemi
863-NTH4L025N065SC1
NTH4L025N065SC1

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
99 A
28.5 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
164 nC
- 55 C
+ 175 C
348 W
Enhancement
EliteSiC
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 27 S
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 19 ns
Serie: NTH4L025N065SC1
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Technologie: SiC
Regelabschaltverzögerungszeit: 32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 17 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NTH4L025N065SC1 19-mOhm-Siliziumkarbid-MOSFET

Der onsemi NTH4L025N065SC1 19-mOhm-Siliziumkarbid-MOSFET ist in einem TO-247-4L-Gehäuse untergebracht und auf Schnelligkeit und Robustheit ausgelegt. Die NTH4L025N065SC1 Bauteile von onsemi bieten eine 10x höhere dielektrische Durchbruchfeldstärke und eine 2x höhere Elektroden-Sättigungsgeschwindigkeit. Die MOSFETs bieten auch eine 3x höhere Energiebandlücke und eine 3x höhere Wärmeleitfähigkeit. Alle SiC-   von   umfassen AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen, die speziell für Fahrzeuganwendungen und Industrieapplikationen ausgelegt und qualifiziert sind.

M2 EliteSiC-MOSFETs

onsemi M2 EliteSic-MOSFETs verfügen über Spannungsoptionen von 650 V, 750 V und 1.200 V. Die M2-MOSFETs von onsemi sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar, einschließlich D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4-8x8, TO-247-3LD und TO-247-4LD. Die MOSFETs bieten Flexibilität bei Design und Implementierung. Darüber hinaus verfügen die M2 EliteSic MOSFETs über eine maximale Gate-Source-Spannung von +22 V/-8 V, einen niedrigen RDS(on) und eine hohe Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT).

650-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

onsemi 650-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs verwenden eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium (S) eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Diese 650-V-MOSFETs haben einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine kompakte Chipgröße, um eine geringe Kapazität und Gate-Ladung zu gewährleisten. Zu den Vorteilen gehören hoher Wirkungsgrad, schnelle Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, reduzierte EMI und geringere Systemgröße.

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