NXH010P120MNF1 SiC Module

onsemi NXH010P120MNF1 SiC Module contains a 10Mohm 1200V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 18-20V. The NXH010P120MNF1 has an improved RDS(ON) at a higher voltage and low thermal resistance.

Resultaten: 4
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Technologie
Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Reeks
Verpakken

onsemi MOSFET-modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)
Gegevensblad
23In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
SiC NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET-modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED + TIM)
Gegevensblad
1.148Af fabriek verkrijgbaar
Meer info beschikbaar
Min.: 28
Veelv.: 28
SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET-modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
Gegevensblad
28Af fabriek verkrijgbaar
Meer info beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 114 A 14 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 413 W NXH010P120MNF1 Tray
onsemi MOSFET-modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
Gegevensblad
140Af fabriek verkrijgbaar
Meer info beschikbaar
Min.: 28
Veelv.: 28

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray