STP65N045M9

STMicroelectronics
511-STP65N045M9
STP65N045M9

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
45 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
245 W
Enhancement
Tube
Marke: STMicroelectronics
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: MDmesh M9
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
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Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Italien
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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MDmesh™ M9 Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh™ M9 von STMicroelectronics zeichnen sich durch eine verbesserte Bauelementstruktur, einen niedrigen ON-Widerstand und niedrige Gate-Ladungswerte aus. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine hohe Rückwärtsdioden-dv/dt- und MOSFET-dv/dt-Robustheit, eine hohe Leistungsdichte und geringe Leitungsverluste. Darüber hinaus bieten die MDmesh M9-Leistungs-MOSFETs eine hohe Schaltgeschwindigkeit, einen hohen Wirkungsgrad und geringe Schaltleistungsverluste. Diese Leistungs-MOSFETs sind mit der innovativen Hochspannungs-Super-Junction-Technologie ausgelegt, die eine beeindruckende Gütezahl (FoM) liefert. Der hohe FoM ermöglicht höhere Leistungsstufen und eine höhere Dichte für kompaktere Lösungen. Zu den typischen Applikationen gehören Server, Telekommunikations-Rechenzentren, 5G-Kraftwerke, Mikrowechselrichter und Schnell Ladegeräte.

STP65N045M9 MDmesh M9 Leistungs-MOSFET

Der STP65N045M9 MDmesh M9 Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs entwickelt, die einen sehr niedrigen RDS(on) pro Fläche aufweisen. Der Baustein verwendet die innovative Super-Junction-Technologie MDmesh M9, die einen Multi-Drain-Herstellungsprozess bietet, der eine verbesserte Bausteinstruktur ermöglicht.

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