GaN FET's – Mouser België

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultaten: 2

Toegepaste filters:

Montagetype

Verpakking / doos

Polariteit transistor

Aantal kanalen

Vds - Doorslagspanning van druppelbron

Id - Continue afvoerstroom

Rds On - Druppelbronweerstand

Vgs - Poort-bronspanning

Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron

Qg - Ingangsbelasting

Minimale bedrijfstemperatuur

Maximale bedrijfstemperatuur

Kanaalmodus

Handelsnaam

Technologie

Alle resetten

In resultaten zoeken

In voorraad

Gewoonlijk op voorraad

Actief

Nieuwe producten

RoHS-conformiteit

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Selecteren	Afbeelding	Onderdeelnummer	Fabrikant	Omschrijving	Gegevensblad	Beschikbaarheid	Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.	Hvh.	RoHS	ECAD-model	Montagetype	Verpakking / doos	Polariteit transistor	Aantal kanalen	Vds - Doorslagspanning van druppelbron	Id - Continue afvoerstroom	Rds On - Druppelbronweerstand	Vgs - Poort-bronspanning	Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron	Qg - Ingangsbelasting	Minimale bedrijfstemperatuur	Maximale bedrijfstemperatuur	Kanaalmodus	Handelsnaam	Technologie
	GaN FET's EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN EPC2367 EPC 1: 6,62 € 16.222In voorraad 6.000Verwacht 4/11/2026 Nieuw product	Fabrikant- onderdeelnr. EPC2367 Mouser-onderdeelnr. 65-EPC2367 Nieuw product	EPC	GaN FET's EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN Meer informatie over EPC 2367 egan fets	Gegevensblad	16.222In voorraad 6.000Verwacht 4/11/2026	Gesneden tape 6,62 € 3,60 € 3,30 € 3,14 € 2,80 € Spoel 2,52 €	Min.: 1 Veelv.: 1 : 3.000			SMD/SMT	QFN-5	N-Channel	1 Channel	100 V	101 A	1.2 mOhms	- 4 V, 6 V	2.5 V	17 nC	- 40 C	+ 150 C	Enhancement	eGaN FET	GaN
	GaN FET's 100 V enhancement-mode GaN power transistor, 101 A, 1.2 mOhm typ RDS(on), optimized for high-density DC-DC converters and motor drives. EPC EPC2367A EPC2367A EPC 1: 6,08 € Niet in voorraad Nieuw bij Mouser	Fabrikant- onderdeelnr. EPC2367A Mouser-onderdeelnr. 65-EPC2367A Nieuw bij Mouser	EPC	GaN FET's 100 V enhancement-mode GaN power transistor, 101 A, 1.2 mOhm typ RDS(on), optimized for high-density DC-DC converters and motor drives. Meer informatie over EPC 2367 egan fets	Gegevensblad	Niet in voorraad	6,08 € 4,07 € 3,27 € 2,91 € 2,34 €	Min.: 1 Veelv.: 1

Toegepaste filters:

Afdeling Klantenservice

Bedrijf

Ondersteuningsmateriaal

Ondersteuning

Delen

Toegepaste filters: