Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Ziet u een fout?

NVBG070N120M3S

Name: onsemi NVBG070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG070N120M3S
Price: 14.16 EUR
Availability: InStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

863-NVBG070N120M3S

Fabrikantnr:

NVBG070N120M3S

Fabrikant:

onsemi

Omschrijving:

SiC MOSFET's SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

Gegevensblad:

NVBG070N120M3S Gegevensblad

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over onsemi NVBG070N120M3S

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	onsemi
Productcategorie:	SiC MOSFET's
RoHS:
REACH - SVHC:
Montagetype:	SMD/SMT
Verpakking / doos:	D2PAK-7
Polariteit transistor:	N-Channel
Aantal kanalen:	1 Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	1.2 kV
Id - Continue afvoerstroom:	25 A
Rds On - Druppelbronweerstand:	87 mOhms
Vgs - Poort-bronspanning:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	4.4 V
Qg - Ingangsbelasting:	57 nC
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 55 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 175 C
Pd - Vermogensverlies:	172 W
Kanaalmodus:	Enhancement
Handelsnaam:	EliteSiC
Merk:	onsemi
Configuratie:	Single
Daaltijd:	8.8 ns
Voorwaartse transconductantie - min:	12 S
Verpakken:	Reel
Verpakken:	Cut Tape
Producttype:	SiC MOSFETS
Stijgtijd:	12 ns
Reeks:	NVBG070N120M3S
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	800
Subcategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Typische uitschakelvertragingstijd:	30 ns
Typische inschakelvertragingstijd:	11 ns

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

NVBG070N120M3S Gegevensblad

PCN

Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

Conformiteitscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificaties oorsprong

Land van oorsprong:: China
Land van herkomst van de assemblage:: China
Land van diffusie:: Republiek Korea

Het land kan op het moment van verzending wijzigen.

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

Electric Commercial Agricultural Vehicles (eCAVs)

onsemi Electric Commercial Agricultural Vehicles (eCAVs) are transforming modern agriculture, replacing diesel and gasoline engines with battery-electric, hybrid-electric, and range-extended drivetrains across tractors, harvesters, sprayers, loaders, utility and transport vehicles, and autonomous field robots. Advancements in lithium-ion and LFP batteries, government incentives, rising fuel and maintenance costs, and growing pressure to reduce emissions have helped drive the global eCAV market from $2.0 billion in 2025 to $4.63 billion by 2031, representing a 14.99% CAGR. The result is quieter, lower-maintenance machines that deliver instant torque, regenerative braking, and lower operating costs per hour.

NVBG070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NVBG070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a 1200V M3S planar EliteSiC MOSFET designed for fast switching applications. This MOSFET offers optimum performance when driven with an 18V gate drive but also works well with a 15V gate drive. The NVBG070N120M3S SiC MOSFET features a 57nC ultra-low gate charge, 57pF high-speed switching with low capacitance, and 65mΩ typical drain-to-source ON resistance at V_GS=18V. This MOSFET is 100% Avalanche tested, AEC-Q101 qualified, and PPAP capable. The NVBG070N120M3S SiC MOSFET is available in a D2PAK-7L package and is Lead-free 2LI (on second-level interconnection) and RoHS compliant (with exemption 7a). Typical applications include automotive on-board chargers and DC/DC converters for EV/HEV.

UITGELICHTE PRODUCTEN

ONSEMI

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

Feature low effective output capacitance and ultra-low gate charge.

Meer informatie

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

Delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance.

Meer informatie

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), and 1700V drain-to-source voltage.

Meer informatie

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Designed for fast switching applications, offering reliable performance.

Meer informatie

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V.

Meer informatie

In voorraad: 1.559

Voorraad:: 1.559 Kan onmiddellijk worden verzonden

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.
Fabriekslevertijd:: 40 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.

Voor dit product wordt een lange levertijd vermeld.

Voer het aantal in:

Minimum: 1 Veelvouden: 1

Eenheidsprijs:

-,-- €

Ext. Prijs:

-,-- €

Est. Tarief:

Prijsbepaling (EUR)

Hvh.	Eenheidsprijs	Ext. Prijs
	14,16 €	14,16 €
	9,99 €	99,90 €
	8,50 €	850,00 €
	8,04 €	4.020,00 €
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 800)
	8,04 €	6.432,00 €

NVBG070N120M3S

Fabrikant: onsemi

Omschrijving: SiC MOSFET's SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

Specificaties

Documenten (2)

Gegevensblad

PCN

Product- en handelsconformiteit

Meer informatie

M3S EliteSiC MOSFETs

Electric Commercial Agricultural Vehicles (eCAVs)

NVBG070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Andere klanten kochten ook

UITGELICHTE PRODUCTEN ONSEMI

In voorraad: 1.559

Prijsbepaling (EUR)

Snelle weergave

Er is een onverwachte fout opgetreden.

Fabrikant:

onsemi

Omschrijving:

SiC MOSFET's SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

UITGELICHTE PRODUCTEN

ONSEMI