CGHV50200F

MACOM
941-CGHV50200F
CGHV50200F

Fabrikant:

Omschrijving:
GaN FET's GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt

ECAD-model:
Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.
Er kan extra documentatie vereist zijn wanneer u dit product wil exporteren vanuit Verenigde Staten.

Productkenmerk Kenmerkwaarde Selecteer kenmerk
MACOM
Productcategorie: GaN FET's
Verzendbeperkingen:
 Er kan extra documentatie vereist zijn wanneer u dit product wil exporteren vanuit Verenigde Staten.
RoHS:  
Screw Mount
4402015
N-Channel
150 V
17 A
- 3.4 V
- 40 C
+ 150 C
5 GHz
4.4 GHz
GaN
Merk: MACOM
Ontwikkelingskit: CGHV50200F-AMP
Versterking: 11.5 dB
Uitgangsvermogen: 180 W
Verpakken: Tray
Producttype: GaN FETs
Verpakkingshoeveelheid af fabriek: 10
Subcategorie: Transistors
Transistortype: GaN HEMT
Vgs - Doorslagspanning van ingangsbron: - 10 V to 2 V
Gevonden producten:
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.
Geselecteerde attributen: 0

Voor deze functionaliteit moet JavaScript zijn ingeschakeld.

Conformiteitscodes
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
3A001.b.3.a
Classificaties oorsprong
Land van oorsprong:
Verenigde Staten
Land van herkomst van de assemblage:
Niet beschikbaar
Land van diffusie:
Niet beschikbaar
Het land kan op het moment van verzending wijzigen.

CGHV50200F GaN HEMT

MACOM CGHV50200F 200W Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) is ideal for SatCom applications, such as troposcatter communications and beyond line-of-sight (BLOS). Thise GaN HEMT is matched to 50Ω for ease of use and is designed for continuous wave (CW), pulse, and linear modes of power amplifier operation. The device is supplied in a ceramic/metal flange type 440217 package and offers high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. MACOM CGHV50200F GaN HEMT delivers a higher breakdown voltage, higher temperature operation, higher efficiency, higher thermal conductivity, higher power density, and wider bandwidths than conventional silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs) devices.

Beschikbaarheid

Voorraad:
Niet in voorraad
Fabriekslevertijd:
26 weken Geschatte productietijd in de fabriek.
Voor dit product wordt een lange levertijd vermeld.
Minimum: 10   Veelvouden: 10
Eenheidsprijs:
-,-- €
Ext. Prijs:
-,-- €
Est. Tarief:
Dit product wordt GRATIS verzonden

Prijsbepaling (EUR)

Hvh. Eenheidsprijs
Ext. Prijs
1.504,42 € 15.044,20 €