Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Ziet u een fout?

NVBG080N120SC1

Name: onsemi NVBG080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG080N120SC1
Price: 10.44 EUR
Availability: InStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

863-NVBG080N120SC1

Fabrikantnr:

NVBG080N120SC1

Fabrikant:

onsemi

Omschrijving:

SiC MOSFET's SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

Gegevensblad:

NVBG080N120SC1 Gegevensblad

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over onsemi NVBG080N120SC1

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	onsemi
Productcategorie:	SiC MOSFET's
RoHS:
REACH - SVHC:
Montagetype:	SMD/SMT
Verpakking / doos:	D2PAK-7
Polariteit transistor:	N-Channel
Aantal kanalen:	1 Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	1.2 kV
Id - Continue afvoerstroom:	30 A
Rds On - Druppelbronweerstand:	110 mOhms
Vgs - Poort-bronspanning:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	4.3 V
Qg - Ingangsbelasting:	56 nC
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 55 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 175 C
Pd - Vermogensverlies:	179 W
Kanaalmodus:	Enhancement
Kwalificatie:	AEC-Q101
Handelsnaam:	EliteSiC
Merk:	onsemi
Configuratie:	Single
Daaltijd:	9 ns
Voorwaartse transconductantie - min:	11 S
Verpakken:	Reel
Verpakken:	Cut Tape
Verpakken:	MouseReel
Producttype:	SiC MOSFETS
Reeks:	NVBG080N120SC1
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	800
Subcategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Typische uitschakelvertragingstijd:	21 ns
Typische inschakelvertragingstijd:	12 ns

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

NVBG080N120SC1 Gegevensblad

PCN

Material Composition Disclosure

Conformiteitscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classificaties oorsprong

Land van oorsprong:: China
Land van herkomst van de assemblage:: China
Land van diffusie:: Republiek Korea

Het land kan op het moment van verzending wijzigen.

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NVBG080N120SC1 1200V SiC MOSFET

onsemi NVBG080N120SC1 1200V SiC MOSFET provides superior switching performance and higher reliability than Silicon. This MOSFET has a low ON resistance and compact chip size, ensuring low capacitance and gate charge. onsemi NVBG080N120SC1 MOSFET features high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced electromagnetic interference (EMI), and reduced system size. Typical applications include automotive onboard chargers and automotive DC/DC converters for EV/HEV.

1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs provide superior switching performance and high reliability compared to silicon. These MOSFETs offer low on-resistance that ensures low capacitance and gate charge. The 1200V EliteSiC MOSFETs provide system benefits, including high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. These MOSFETs feature blocking voltage, high-speed switching, and low capacitance and operate at -55°C to +175°C temperature range. The 1200V SiC MOSFETs are AEC-Q101 automotive qualified and are RoHS compliant. These MOSFETs are suited for boost inverters, charging stations, DC-DC inverters, DC-DC converters, onboard chargers (OBCs), motor control, industrial power supplies, and server power supplies.

UITGELICHTE PRODUCTEN

ONSEMI

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

Feature low effective output capacitance and ultra-low gate charge.

Meer informatie

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

Delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance.

Meer informatie

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), and 1700V drain-to-source voltage.

Meer informatie

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Designed for fast switching applications, offering reliable performance.

Meer informatie

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V.

Meer informatie

In voorraad: 1.930

Voorraad:: 1.930 Kan onmiddellijk worden verzonden

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.
Fabriekslevertijd:: 32 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.

Voer het aantal in:

Minimum: 1 Veelvouden: 1

Eenheidsprijs:

-,-- €

Ext. Prijs:

-,-- €

Est. Tarief:

Verpakking:

Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 800)

Gesneden tape

MouseReel (+5,00 €)

Prijsbepaling (EUR)

Hvh.	Eenheidsprijs	Ext. Prijs
Gesneden tape / MouseReel™ ^†
	10,44 €	10,44 €
	5,87 €	58,70 €
	5,72 €	572,00 €
	5,41 €	2.705,00 €
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 800)
	5,41 €	4.328,00 €

† 5,00 € MouseReel™-bewerkingskosten worden in uw winkelwagen toegevoegd en berekend. Het is niet mogelijk om MouseReel™-bestellingen te annuleren of te retourneren. ↩

NVBG080N120SC1

Fabrikant: onsemi

Omschrijving: SiC MOSFET's SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

Specificaties

Documenten (3)

Gegevensblad

PCN

Milieudocumenten

Product- en handelsconformiteit

Meer informatie

M1 EliteSiC MOSFETs

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

NVBG080N120SC1 1200V SiC MOSFET

1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

Andere klanten kochten ook

UITGELICHTE PRODUCTEN ONSEMI

In voorraad: 1.930

Prijsbepaling (EUR)

Snelle weergave

Er is een onverwachte fout opgetreden.

Fabrikant:

onsemi

Omschrijving:

SiC MOSFET's SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

UITGELICHTE PRODUCTEN

ONSEMI