RJ1x10BBG Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Power MOSFETs are N-channel power MOSFETs featuring low on-resistance and a high power package. The RJ1G10BBG and RJ1L10BBG power MOSFETs have a drain-source voltage of 40V and 60V, a continuous drain current of ±280A and ±240A, respectively, and a power dissipation of 192W. The RJ1x10BBG power MOSFETs are RoHS compliant. These power MOSFETs feature lead-free plating, are halogen-free, and 100% Rg and UIS tested. The RJ1x10BBG power MOSFETs operate within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include switching, motor drives, and DC/DC converters.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer Fabrikant Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid. Hvh. RoHS ECAD-model Technologie Montagetype Verpakking / doos Polariteit transistor Aantal kanalen Vds - Doorslagspanning van druppelbron Id - Continue afvoerstroom Rds On - Druppelbronweerstand Vgs - Poort-bronspanning Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron Qg - Ingangsbelasting Minimale bedrijfstemperatuur Maximale bedrijfstemperatuur Pd - Vermogensverlies Kanaalmodus Verpakken
ROHM Semiconductor MOSFET's Nch 40V 280A, TO-263AB, Power MOSFET 800In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 40 V 280 A 1.43 mOhms 20 V 2.5 V 210 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET's Nch 60V 240A, TO-263AB, Power MOSFET 5In voorraad
1.600Besteld
Min.: 1
Veelv.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 240 A 1.85 mOhms 20 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape