NTHL022N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTHL022N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are a family of 1200V M3S planar SiC MOSFETs optimized for fast switching applications. The onsemi NTHL022N120M3S features planar technology that works reliably with negative gate voltage drives and turns off spikes on the gate. The MOSFETs have optimum performance when driven with an 18V gate drive but also work well with a 15V gate drive.

Resultaten: 3
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype
Verpakking / doos
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Handelsnaam

onsemi SiC MOSFET's SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1200V M3
Gegevensblad
284In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 10

Through Hole TO-247-3 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC

onsemi SiC MOSFET's SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Gegevensblad
1.010In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 60

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET's SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
Gegevensblad
398In voorraad
1.350Besteld
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 90

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC