Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Ziet u een fout?

NTH4L028N170M1

Name: onsemi NTH4L028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L028N170M1
Price: 31.02 EUR
Availability: InStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

863-NTH4L028N170M1

Fabrikantnr:

NTH4L028N170M1

Fabrikant:

onsemi

Omschrijving:

SiC MOSFET's SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L

Levenscyclus:

NRND:

Niet aanbevolen voor nieuwe ontwerpen.

Gegevensblad:

NTH4L028N170M1 Gegevensblad

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over onsemi NTH4L028N170M1

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	onsemi
Productcategorie:	SiC MOSFET's
RoHS:
REACH - SVHC:
Montagetype:	Through Hole
Verpakking / doos:	TO-247-4
Polariteit transistor:	N-Channel
Aantal kanalen:	1 Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	1.7 kV
Id - Continue afvoerstroom:	81 A
Rds On - Druppelbronweerstand:	40 mOhms
Vgs - Poort-bronspanning:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	4.3 V
Qg - Ingangsbelasting:	200 nC
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 55 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 175 C
Pd - Vermogensverlies:	535 W
Kanaalmodus:	Enhancement
Handelsnaam:	EliteSiC
Merk:	onsemi
Configuratie:	Single
Daaltijd:	13 ns
Voorwaartse transconductantie - min:	31 S
Verpakken:	Tube
Producttype:	SiC MOSFETS
Stijgtijd:	18 ns
Reeks:	NTH4L028N170M1
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	30
Subcategorie:	Transistors
Typische uitschakelvertragingstijd:	121 ns
Typische inschakelvertragingstijd:	47 ns

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

NTH4L028N170M1 Gegevensblad

Material Composition Disclosure

Conformiteitscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificaties oorsprong

Land van oorsprong:: China
Land van herkomst van de assemblage:: China
Land van diffusie:: Republiek Korea

Het land kan op het moment van verzending wijzigen.

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

NTH4L028N170M1 1700 V EliteSiC MOSFET

De NTH4L028N170M1 1700 V EliteSiC MOSFET van Onsemi biedt betrouwbare, zeer efficiënte prestaties voor aandrijvingen in de sectoren energie-infrastructuur en industrie. De EliteSiC-MOSFET van onsemi beschikt over planaire technologie die betrouwbare prestaties biedt bij negatieve aandrijvingen voor poortspanning. Elimineert tevens pieken op de poort. Dit apparaat presteert optimaal met een 20 V gate drive, maar werkt ook goed met een 18 V gate drive.

UITGELICHTE PRODUCTEN

ONSEMI

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

Feature low effective output capacitance and ultra-low gate charge.

Meer informatie

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

Delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance.

Meer informatie

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), and 1700V drain-to-source voltage.

Meer informatie

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Designed for fast switching applications, offering reliable performance.

Meer informatie

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V.

Meer informatie

In voorraad: 772

Voorraad:: 772 Kan onmiddellijk worden verzonden

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.
Fabriekslevertijd:: 52 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.

Voor dit product wordt een lange levertijd vermeld.

Voer het aantal in:

Minimum: 1 Veelvouden: 1 Maximaal: 30

Eenheidsprijs:

-,-- €

Ext. Prijs:

-,-- €

Est. Tarief:

Prijsbepaling (EUR)

Hvh.	Eenheidsprijs	Ext. Prijs
	31,02 €	31,02 €
	24,16 €	241,60 €

NTH4L028N170M1

Fabrikant: onsemi

Omschrijving: SiC MOSFET's SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L

Specificaties

Documenten (1)

Gegevensblad

Milieudocumenten

Product- en handelsconformiteit

Meer informatie

M1 EliteSiC MOSFETs

Energy Storage Solutions

NTH4L028N170M1 1700 V EliteSiC MOSFET

Andere klanten kochten ook

UITGELICHTE PRODUCTEN ONSEMI

In voorraad: 772

Prijsbepaling (EUR)

Snelle weergave

Er is een onverwachte fout opgetreden.

Fabrikant:

onsemi

Omschrijving:

SiC MOSFET's SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L

UITGELICHTE PRODUCTEN

ONSEMI