CDMS24783-120 SL

Name: Central Semiconductor CDMS24783-120 SL
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDM24783120SL
Price: 24.62 EUR
Availability: InStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

610-CDM24783120SL

Fabrikantnr:

CDMS24783-120 SL

Fabrikant:

Central Semiconductor

Omschrijving:

SiC MOSFET's 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

Levenscyclus:

Nieuw product:

Nieuw van deze fabrikant.

Gegevensblad:

CDMS24783-120 SL Gegevensblad (PDF)

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over Central Semiconductor CDMS24783-120 SL

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	Central Semiconductor
Productcategorie:	SiC MOSFET's
RoHS:
Montagetype:	Through Hole
Verpakking / doos:	TO-247-3
Aantal kanalen:	1 Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	1.2 kV
Id - Continue afvoerstroom:	18 A
Rds On - Druppelbronweerstand:	150 mOhms
Vgs - Poort-bronspanning:	20 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	4 V
Qg - Ingangsbelasting:	55 C
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 55 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 175 C
Pd - Vermogensverlies:	28 W
Kanaalmodus:	Depletion
Merk:	Central Semiconductor
Configuratie:	Single
Product:	MOSFETs
Producttype:	SiC MOSFETS
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	30
Subcategorie:	Transistors
Polariteit transistor:	N-Channel
Transistortype:	1 N-Channel
Type:	SiC MOSFET

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

CDMS24783-120 SL Gegevensblad (PDF)

Conformiteitscodes

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificaties oorsprong

Land van oorsprong:: Filippijnen
Land van herkomst van de assemblage:: Niet beschikbaar
Land van diffusie:: Niet beschikbaar

Het land kan op het moment van verzending wijzigen.

CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET

Central Semiconductor CDMS24783-120 Silicon Carbide (SiC) N-Channel MOSFET offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications. This SiC MOSFET features a 20V gate-source voltage, 18A continuous drain current, 28W power dissipation, and 20A pulsed drain current. The CDMS24783-120 MOSFET supports higher breakdown voltage and better thermal conductivity. This device is available in a TO-247 package with an operating temperature range of -55°C to 175°C. Typical applications include Electric Vehicles (EV), renewable energy systems, and medical imaging equipment.