NDSH50120C Silicon Carbide (SiC) Diodes

onsemi NDSH50120C Silicon Carbide (SiC) Diodes provide superior switching performance and higher reliability than silicon. The onsemi NDSH50120C features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype
Verpakking / doos
Configuratie
If - Voorwaartse stroom
Vrrm - Periodieke sperspanning
Vf - Voorwaartse spanning
Ifsm - Voorwaartse piekstroom
Ir - Keerstroom
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Vr - Sperspanning
Reeks
Verpakken

onsemi SiC Schottkydiodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Gegevensblad
386In voorraad
16,80 €
11,89 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.4 V 231 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV NDSH50120C Tube
onsemi SiC Schottkydiodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Gegevensblad
361In voorraad
25,46 €
17,79 €
16,80 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247-2 Single 53 A 1.2 kV 1.4 V 1.568 kA 12.2 uA - 55 C + 175 C NDSH50120C-F155 Tube