TGF297x GaN RF Transistors

Qorvo TGF297x GaN RF Transistors have a frequency range of DC to 12GHz and offer output power from 6W up to 22W. The TGF2970 transistors are constructed using a TQGaN25 process, which features field plate techniques to optimize power and efficiency at a high drain bias operation. Qorvo TGF297x GaN RF Transistors are ideal for military radar and commercial radar including avionics, marine, and weather.

Resultaten: 3
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer Fabrikant Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid. Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype Verpakking / doos Polariteit transistor Aantal kanalen Vds - Doorslagspanning van druppelbron Id - Continue afvoerstroom Maximale bedrijfstemperatuur Pd - Vermogensverlies Maximale werkingsfrequentie Minimale werkingsfrequentie Technologie
Qorvo GaN FET's 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB 1.210In voorraad
45,12 €
44,68 €
22,63 €
Min.: 1
Veelv.: 1
SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W 12 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN FET's 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
Mouser verkoopt dit product momenteel niet in uw regio.
SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.8 A + 225 C 49 W 12 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN FET's 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
Mouser verkoopt dit product momenteel niet in uw regio.
SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W 12 GHz 0 Hz GaN