Resultaten: 6
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer Fabrikant Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid. Hvh. RoHS ECAD-model Technologie Montagetype Verpakking / doos Polariteit transistor Aantal kanalen Vds - Doorslagspanning van druppelbron Id - Continue afvoerstroom Rds On - Druppelbronweerstand Vgs - Poort-bronspanning Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron Qg - Ingangsbelasting Minimale bedrijfstemperatuur Maximale bedrijfstemperatuur Pd - Vermogensverlies Kanaalmodus Verpakken

Infineon Technologies MOSFET's HIGH POWER_NEW 268In voorraad
7,89 €
4,65 €
3,92 €
3,80 €
3,58 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET's HIGH POWER_NEW 250In voorraad
8,58 €
5,87 €
4,84 €
4,33 €
4,08 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET's HIGH POWER_NEW 284In voorraad
720Besteld
9,40 €
5,12 €
4,74 €
4,71 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET's HIGH POWER_NEW 41In voorraad
500Verwacht 10/12/2026
6,97 €
3,77 €
3,46 €
3,17 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET's HIGH POWER_NEW 90In voorraad
10,24 €
6,98 €
6,80 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET's HIGH POWER_NEW 151In voorraad
12,95 €
7,29 €
7,16 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube