SRAM for Data Acquisition

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SRAM for Data Acquisition

SRAM stands for static random-access memory, a kind of memory chip that uses flip-flop type latching circuitry to store by the bit. SRAM can use very little power when sitting idle for long periods, and thus is better suited for certain applications over other types of memory. Learn More

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Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
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Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
ISSI SRAM 16Mb 70ns 2.5v-3.6v 1M x 16 Pseudo SRAM
Datenblatt
539Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 1 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI SRAM 1Mb 2.4V-3.6V (10ns) 64K x 16 Async SRAM
Datenblatt
123Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 64 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 20ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
65Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48

ISSI SRAM 4Mb, 2.4v-3.6v, 10ns 256Kx16 Async SRAM
Datenblatt
135Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 60 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 18Mb, 200Mhz 512K x 36 Sync SRAM
Datenblatt
208Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
53Auf Lager
480erwartet ab 21.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
250Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Tray
ISSI SRAM 4Mb 256Kx16 55ns Async SRAM
Datenblatt
198Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 16 55 ns 18 MHz Parallel 3.6 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
465Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 256K (32K x 8) 20ns Async SRAM 3.3v
Datenblatt
84Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit 32 k x 8 20 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-28 Tray

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16/2Mb x 8, 55ns, 2.2v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
76Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 1 M x 16 55 ns 3.6 V 2.2 V 12 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 12ns/3.3V Async SRAM 3.3v
Datenblatt
121Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Tray
ISSI IS66WVH32M8DBLL-166B1LI
ISSI SRAM 256Mb, 32M x 8 HyperRAM, TFBGA-24
Datenblatt
347Auf Lager
480erwartet ab 13.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

256 Mb 32M x 8 36 ns 166 MHz Parallel 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
ISSI SRAM 8Mb 1Mbx8 55ns Async SRAM
Datenblatt
164Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray

ISSI SRAM 8M (1Mx8) 55ns Async SRAM 5v
Datenblatt
105Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp, ECC
Datenblatt
73Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
53Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 4Mb 256Kx18 200Mhz Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
24Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube

ISSI SRAM 4Mb (256K x 16) 8ns Async SRAM
Datenblatt
181Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 16 8 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 1M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async SRAM
Datenblatt
273Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Tray
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
Datenblatt
234Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
104Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-54
ISSI SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM
Datenblatt
376Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 3 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray

ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 12ns 5v Async SRAM
Datenblatt
187Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS
Datenblatt
15Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 512 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube