Tray SRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Qualifikation
Verpackung
Alliance Memory SRAM SRAM, 8Mb, 1024K x 8, 3.3V, 44pin TSOP II, 10ns, Industrial Temp - Tray
Datenblatt
135erwartet ab 18.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Tray
ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 45MHz Serial SRAM IT
Datenblatt
100erwartet ab 31.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 15 ns 45 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tray

ISSI SRAM 16Mb 10ns 1Mbx16 Async SRAM 2.4V-3.6V
Datenblatt
1erwartet ab 14.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray

ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 55ns Async SRAM
Datenblatt
192erwartet ab 11.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 5 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
Datenblatt
956Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
ISSI SRAM 1Mb (128Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
Datenblatt
213erwartet ab 16.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx36 ZBT SYNC 3.3V FLOW-THRU SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 256 k x 36 8.5 ns Parallel 3.465 V 3.135 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 410 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 8 M x 18 833 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 1.9 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.5/1.8V 16M x 18 288M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

288 Mbit 16 M x 18 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 15
Mult.: 15

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 295 mA, 360 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 3 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 330 mA, 400 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 3 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 36 288M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

288 Mbit 8 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 520 mA, 610 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 16M x 18 288M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

288 Mbit 8 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 460 mA, 510 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 16M x 18 288M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

288 Mbit 16 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 410 mA, 470 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.5/1.8V 8M x 36 288M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

288 Mbit 8 M x 36 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 850 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

36 Mbit 1 M x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

36 Mbit 1 M x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 1M x 36 36M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

36 Mbit 1 M x 36 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 835 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray