InterFET Neueste Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern
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InterFET IFN160 50 V n-Kanal-JFETs mit niedriger Ciss
InterFET IFN160 50 V n-Kanal-JFETs mit niedriger Ciss
10-28-2024
Verfügen über einen niedrigen Gate-Ableitstrom, eine niedrige Grenzspannung und eine niedrige Eingangskapazität (Ciss).
InterFET IFN201 und IFN202 40-V-n-Kanal-JFETs mit niedriger Ciss
InterFET IFN201 und IFN202 40-V-n-Kanal-JFETs mit niedriger Ciss
10-28-2024
Feature low gate leakage, low input capacitance (Ciss), and high radiation tolerance.
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Qorvo QPD1000A GaN - Transistor mit angepasster Eingangsspannung
Qorvo QPD1000A GaN - Transistor mit angepasster Eingangsspannung
10-14-2026
50Ω Eingangsangepasste diskrete GaN-auf-SiC HEMT, die von 30MHz-1215MHz an einer 28V Versorgungsspannung betrieben werden.
Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren
Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren
10-06-2026
220 W diskrete GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 1,2 GHz bis 1,4 GHz arbeiten.
Qorvo QPD2562L GaN-HF-Leistungstransistor
Qorvo QPD2562L GaN-HF-Leistungstransistor
10-06-2026
Ein diskreter 200 W bis 300 W GaN-on-SiC-HEMT, der von 2,5 GHz bis 2,9 GHz und von 2,9 GHz bis 3,3 GHz arbeitet.
Littelfuse LTKAK1.5-L TVS Diode
Littelfuse LTKAK1.5-L TVS Diode
10-05-2026
Bietet eine Klemmenspannung, die niedriger als bei alternativen Technologien wie beispielsweise MOVs und GDTs ist.
Littelfuse AK6-FB Axial bedrahtete TVS-Dioden
Littelfuse AK6-FB Axial bedrahtete TVS-Dioden
10-05-2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Littelfuse AK8-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
Littelfuse AK8-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
10-05-2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET-Modul
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET-Modul
10-02-2026
1400-V-CoolSiC-MOSFET-Modul für Antriebswechselrichter in elektrischen Nutzfahrzeugen.
Littelfuse SP4315-01WTG TVS-Diodenarray
Littelfuse SP4315-01WTG TVS-Diodenarray
10-01-2026
Extrem niedrige Kapazität, bidirektionales Design und Schutz elektronischer Geräte vor zerstörerischen ESD
Littelfuse DSxARP Schottky-Barrieredioden aus Silizium für die Kfz-Industrie
Littelfuse DSxARP Schottky-Barrieredioden aus Silizium für die Kfz-Industrie
09-22-2026
Bietet niedrigen Durchlassspannungsabfall und eine stabile elektrische Leistung.
IXYS IXBOD2 Durchbruch-Diodenmodule
IXYS IXBOD2 Durchbruch-Diodenmodule
09-22-2026
Bietet schnellen und verlässlichen Überspannungsschutz in anspruchsvollen Leistungs-Elektronikanwendungen.
onsemi NVMTS1D1N08X N‐Kanal-Leistungs-MOSFETs
onsemi NVMTS1D1N08X N‐Kanal-Leistungs-MOSFETs
09-17-2026
80-V-MOSFETs für Fahrzeuge mit niedrigem On-Widerstand und Soft-Recovery-Body-Diode.
Vishay SQD50P04-09L 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Kfz-Industrie
Vishay SQD50P04-09L 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Kfz-Industrie
09-16-2026
Dieses Bauteil eignet sich ideal für Anwendungen in den Bereichen Kfz-Technik, Stromverteilung und industrielle Leistungssteuerung.
STMicroelectronics TVS221SC-1T2 Unidirektionale TVS für eine einzelne Leitung
STMicroelectronics TVS221SC-1T2 Unidirektionale TVS für eine einzelne Leitung
09-15-2026
Zum Schutz von Stromleitungen oder anderen I/Os mit niedriger Geschwindigkeit gegen ESD und kleinen Spannungsstößen konzipiert.
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
09-14-2026
Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
onsemi ESDM1021 ESD-Schutzdiode
onsemi ESDM1021 ESD-Schutzdiode
09-14-2026
Kompakte bidirektionale 2V-ESD-Diode für GPIO und Niederspannungs-Stromleitungsschutz.
Littelfuse AK10-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
Littelfuse AK10-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
09-10-2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Littelfuse AK1-A Axial bedrahtete TVS-Dioden
Littelfuse AK1-A Axial bedrahtete TVS-Dioden
09-10-2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Littelfuse TP7.0SMD-XC Automotive-TVS-Diode
Littelfuse TP7.0SMD-XC Automotive-TVS-Diode
09-10-2026
Schützt empfindliche elektronische Geräte vor durch Blitzschlag verursachte transiente Spannung.
Littelfuse AK3-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
Littelfuse AK3-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
09-10-2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Littelfuse AK3-A Axial bedrahtete TVS-Dioden
Littelfuse AK3-A Axial bedrahtete TVS-Dioden
09-10-2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Texas Instruments JFE2325 Stromsparender Dual-N-Kanal-JFET
Texas Instruments JFE2325 Stromsparender Dual-N-Kanal-JFET
09-09-2026
Für den Einsatz mit Sensoren mit sehr hoher Impedanz wie beispielsweise Elektret-Kondensatormikrofonen (ECMs) konzipiert.
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET
09-02-2026
1200 V, 35 mΩ und 67 A SiC- MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET
09-02-2026
1200V, 21mΩ und 102A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET
09-02-2026
1200V, 18 mΩ und 112A SiC-MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC-MOSFET
09-02-2026
1200V, 13,5 mΩ und 147A SiC-MOSFET empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
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