Neueste Halbleiter – Mouser Belgien

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Arten von Halbleitern

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ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs

07-21-2026

- Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.

ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule

04-10-2026

- Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.

ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen

03-17-2026

- Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.

ROHM Semiconductor TLR2728YFJ-C Operationsverstärker

12-11-2025

- Rail-to-Rail-Eingang-/Ausgang- und Hochgeschwindigkeits-Dual-CMOS-Operationsverstärker.

ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker

11-24-2025

- Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.

ROHM Semiconductor RN789FM PIN-Diode

11-18-2025

- Kleines Gehäuse, geeignet für eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung und einen Antennenverstärker/Antennendämpfungsregler.

ROHM Semiconductor BD79124MUF-C A/D-Wandler

11-18-2025

- Universeller 12-Bit-A/D-Wandler mit 8 Kanälen und sukzessiver Approximation.

ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFET

11-18-2025

- Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -40 V und einen ID-Wert (VDS = -10 V) von ±22 A.

ROHM Semiconductor RJ1P10BAT p-Kanal-Leistungs-MOSFET

11-18-2025

- Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -100 V und einen ID-Wert (VDS = 10 V) von ±105 A.

ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs

11-03-2025

- Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.

ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs

10-17-2025

- Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.

ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

10-16-2025

- AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.

ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs

09-26-2025

- Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.

ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard

08-27-2025

- Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.

ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard

08-27-2025

- Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.

ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs

08-21-2025

- Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.

ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

08-21-2025

- Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.

ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode

08-21-2025

- Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.

ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard

08-21-2025

- Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.

ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs

08-21-2025

- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.

ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode

08-20-2025

- Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.

ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

08-19-2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI BUS EEPROMs

08-19-2025

- Diese Bauteile sind 16Kbit serielle EEPROMs mit einer SPI BUS-Schnittstelle und 4 Millionen Schreibzyklen.

ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET

08-19-2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Nennspannung von -60 V VDSS und einem Nennstrom von ±36 A ID, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden

08-19-2025

- Die in einem kleinen Power-Mold-Gehäuse erhältlichen Bauteile sind für Applikationen zur Spannungsregelung geeignet

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Analog Devices Inc. ADM33051E High-Speed CAN FD Transceiver

08-10-2026

- A robust high-speed, low-power CAN transceiver operating with a 3.3V supply.

Nisshinbo NC2650 1A Step-Down Switching Regulator

08-10-2026

- Step-down switching regulator using CMOS-based with PWM/PFM automatic alternating function.

STMicroelectronics STH4N150-2AG N-Channel Power MOSFET

08-10-2026

- Designed to ensure a high level of voltage and robustness for the automotive applications.

Sensirion SEK-SEN69C Evaluation Kit

08-10-2026

- Evaluation kit for SEN69C all-in-one indoor air quality sensing.

Alliance Memory AS4C512M16D4D/1G8D4D 8Gb DDR4 SDRAMs

08-10-2026

- High-speed dynamic random-access memory is internally organized with eight banks or sixteen banks.

STMicroelectronics LDQ44 400mA High Accuracy LDO Voltage Regulator

08-10-2026

- The included features make the LDQ44 suitable for low-power, battery-operated applications.

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN Transistor

08-10-2026

- Designed for high-efficiency and high-power switching applications.

Diodes Incorporated DML1012ALDSQ Single-Channel Smart Load Switch

08-10-2026

- The device includes an N-channel MOSFET for up to VBIAS = 1.5V input-voltage operation.

Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN Evaluation Board

08-06-2026

- Gate driver evaluation board for CoolGaN™ bidirectional switch designs.

Infineon Technologies PSOC™ Control C1 Microcontrollers

08-06-2026

- 32-bit control MCUs with Arm® Cortex®-M0 CPU and MATH coprocessor.

Infineon Technologies CoolGaN™ BDS Evaluation Boards

08-06-2026

- Compact daughter boards for evaluating 40V GaN bidirectional switches.

Analog Devices Inc. MAX22915EVKIT Evaluationskit

08-04-2026

- Bewährtes Design zur Evaluierung des MAX22915, eines 8-Kanal-High-Side-Schalters mit erweiterten Diagnosefunktionen.

Würth Elektronik WL-OCHS Hochgeschwindigkeits-Optokoppler

08-04-2026

- Bieten eine sehr hohe Übertragungsgeschwindigkeit im MHz- bis MBit/s-Bereich.

Analog Devices Inc. MAX22915 Oktaler Industrie-High-Side-Schalter

08-04-2026

- Eingebauter 7-Bit-ADC zur Überwachung der Chip-Temperatur des Ausgangsstroms pro Kanal oder der VDD-Versorgungsspannung.

NXP Semiconductors FRDM i.MX 95 Pro Development Board

08-04-2026

- Evaluiert den i.MX 95 Applikationsprozessor in einem kompakten Gehäuse von 19 mm x 19 mm.

Texas Instruments TPS25752A Evaluierungsmodul

08-04-2026

- Unterstützt Single-Port-USB Type-C® und Power Delivery-Applikationen (PD) im Source-Only-Modus.

Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD Protection Diodes

08-04-2026

- Automotive ESD protection diodes for CAN, CAN FD, CAN SIC, and CAN XL networks.

Texas Instruments TRF2001 ISM Band Multiprotocol & Wi-SUN RF FEM

08-04-2026

- A high-performance RF FEM for low-power wireless applications in the sub-1GHz band.

Texas Instruments ISO7741U Evaluierungsmodul

08-04-2026

- Galvanisch getrenntes Vierkanal-Evaluierungsmodul in einem Ultra-Wide-SSOP-Gehäuse (DUW-16).

Analog Devices Inc. MAX22215 Evaluationsboard

08-04-2026

- Zur Evaluierung des MAX22215 in Kombination mit dem Trinamic-Evaluierungsboardsystem vorgesehen.

Texas Instruments TPS7H3xx4EVM-CVAL Evaluation Modules

08-04-2026

- Radiation-tolerant supervisor evaluation modules with flexible rail monitoring.

Texas Instruments BQ25640EVM Evaluierungsmodul

08-03-2026

- Komplettes Evaluierungssystem für den BQ25640 IC, ein Schaltmodus-Abwärtswandler-Einzellen-Ladegerät.

Chip Quik DFN-6 to DIP-6/10 SMT Adapters

08-03-2026

- Constructed using FR-4 material and offer a UL 94V-0 flammability rating.

NXP Semiconductors TJA1046 Duale Hochgeschwindigkeits-CAN-Transceiver

07-30-2026

- Zwei Hochgeschwindigkeits-CAN-Transceiver mit Standby-Modus und CAN-FD-Unterstützung.

onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)

07-30-2026

- Für den Ersatz eines einzelnen Bauteils und sein externes Widerstands-Bias-Netzwerk konzipiert.

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