Arten von diskreten Halbleitern
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ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs
07-21-2026
07-21-2026
Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.
IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter
07-20-2026
07-20-2026
Verfügt über glaspassivierte Übergänge für erhöhte Stabilität und ist in einem DO-214AB-Gehäuse untergebracht.
IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode
07-20-2026
07-20-2026
Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.
onsemi GaNEXUS™ GaN-FETs
07-08-2026
07-08-2026
Wide-Bandgap-Materialeigenschaften für niedrige Gate- und Ausgangsladung, schnelles Schalten und einen verbesserten Wirkungsgrad.
Bourns CDDFN2 TVS-Dioden zur Oberflächenmontage
07-07-2026
07-07-2026
ESD, EFT und Überspannungsschutz für externe Anschlüsse elektronischer Bauteile zur Begrenzung kritischer Schäden.
Semtech RCLAMP2891PQ TVS Diode
06-30-2026
06-30-2026
Einphasige 28-V-TVS-Diode mit extrem niedriger Kapazität schützt Hochgeschwindigkeits-Signalleitungen vor ESD und EOS.
Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode
06-29-2026
06-29-2026
Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.
Bourns CDSOD323-T24LC-Q TVS-Dioden in Automobilqualität
06-26-2026
06-26-2026
Bidirektionale Automotive-Grade TVS-Dioden in einem kompakten SOD-323-Gehäuse.
Littelfuse TVS Arrays Diodenarrays
06-26-2026
06-26-2026
TVS-Diodenarrays für Überspannungsschutz, ESD und EFT an Daten- und Energie-Schnittstellen.
Bourns CDSOD323-TxxSC-Q TVS-Dioden
06-25-2026
06-25-2026
Bieten Sie eine Auswahl an Spannungsoptionen von 3 V bis 36 V in einer bidirektionalen Bauform an.
Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP Bidirektionale TVS-Diode
06-22-2026
06-22-2026
Bauteil mit geringer Kapazität, das speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Differentialleitungen konzipiert ist.
Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs
06-19-2026
06-19-2026
Zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs.
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06-18-2026
06-18-2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Infineon Technologies EasyPACK™ S-Module
06-12-2026
06-12-2026
Effiziente Leistungsumwandlung in einem kompakten, einfach zu integrierenden Gehäuse, das für moderne Leistungsdesigns ausgelegt ist.
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge
05-27-2026
05-27-2026
Fortschrittliche n-Kanal-Bauteile für hocheffiziente Leistungsschaltung.
Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs
05-18-2026
05-18-2026
Entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.
Bourns CDSOT23-SM712-Q TVS-Diode zur Oberflächenmontage
05-12-2026
05-12-2026
Bietet Schutz für Datenanschlüsse gemäß IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 und IEC 61000-4-5.
Infineon Technologies CIPOS™ Prime CoolSiC™-Leistungsmodule für Fahrzeuganwendungen
05-06-2026
05-06-2026
Leistungsmodule sind für hohe Leistung in xEV-Anwendungen ausgelegt.
Littelfuse AK-FL TVS-Dioden
05-04-2026
05-04-2026
Axial bedrahtete, flache und bidirektionale FlatSuppressX™ TVS-Dioden mit niedriger Klemmspannung.
Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden
05-04-2026
05-04-2026
Spitzenimpulsleistung von 5000 W bei Verwendung einer 10/1000 µs Wellenform und einer Verlustleistung von 6,5 W.
Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden
05-04-2026
05-04-2026
Speziell ausgelegt, um empfindliche elektronische Geräte vor Spannungstransienten zu schützen.
RECOM Power ICs, Transformatoren und diskrete Lösungen
04-24-2026
04-24-2026
Enthält Bauelemente, die hervorragend für Applikationen in den Bereichen Energie, Industrie und Medizin geeignet sind.
Littelfuse SJx08x SCRs für Hochtemperaturanwendungen
04-24-2026
04-24-2026
-Mit einer Spannung von bis zu 800 V, einer Stromstoßfestigkeit von bis zu 100 A und einer Temperaturbeständigkeit von bis zu +150 °C.
Littelfuse QVx35xHx Alternistor-TRIACs für Hochtemperaturanwendungen
04-24-2026
04-24-2026
Das Bauteil bietet einen Nennstrom von 35 A und ist in einem Gehäuse des Typs TO-220AB, TO-220 isoliert und TO-263 erhältlich.
Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
04-16-2026
04-16-2026
Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
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