Neueste Diskrete Halbleiter

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Arten von diskreten Halbleitern

Liste Bilder

Angewendete Filter:

Hersteller = STMicroelectronics Zurück zur Registerkarte Produkte zum Ändern Ihrer aktuellen Filter.

STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

03-31-2026

- Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

12-04-2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.

STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor

11-07-2025

- Basiert auf GaN-Technologie und ist für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs-Applikationen konzipiert.

STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

10-28-2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR, der für eine effiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Applikationen optimiert ist.

STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA Fahrzeug Leistungsmodul

09-26-2025

- Bietet eine Sixpack Topologie mit NTC für die DC/DC-Wandler Stufe des OBC in Elektrofahrzeugen.

STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA Fahrzeug-Leistungsmodul

09-26-2025

- Bietet eine 3-Phasen 4-wire PFC -Topologie mit integriertem NTC für den OBC in Hybrid- & Elektrofahrzeugen.

STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2

05-22-2025

- Durch Implementierung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt.

STMicroelectronics ESDAxWY Unidirektionaler Automotive-ESD-Schutz

01-10-2025

- TVS wurde zum Schutz empfindlicher Elektronik in rauen Umgebungen entwickelt.

STMicroelectronics TN8050H-12WL Hochtemperatur-SCR-Thyristor

01-01-2025

- Geeignet für Industrieapplikationen, die eine hohe Immunität bei niedrigerem Gatestrom erfordern.

STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT mit Diode

12-24-2024

- Kombiniert zwei IGBTs und Dioden in einer Halbbrücken-Topologie.

STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4 Bidirektionale Einzelleitungs-TVS-Diode

10-14-2024

- Das Bauteil ist zum Schutz von Datenleitungen oder anderen I/O-Anschlüssen gegen ESD-Überspannungen ausgelegt.

STMicroelectronics STTH120RQ06-M2Y Ultra-schnelles 600-V-Brückenmodul

10-08-2024

- Eignet sich für den Einsatz in Ladeapplikationen, entweder im Fahrzeug oder in einer Ladestation integriert.

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT

09-12-2024

- Mit einem fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.

STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT

09-12-2024

- Mit einem fortschrittlichen Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.

STMicroelectronics ESDA5WY Unidirektionaler Automotive-ESD-Schutz

09-10-2024

- Unidirektionaler Automotive-Transientenspannungsschutz (TVS), der für raue Umgebungen ausgelegt ist.

STMicroelectronics STBR3012L2Y-TR Automotive-Hochspannungsgleichrichter

08-09-2024

- Qualitativ hochwertiges Design mit konsistent reproduzierbaren Eigenschaften und intrinsischer Robustheit.

STMicroelectronics MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

07-22-2024

- 800 V, durch Zener-Diode geschützt, zu 100 % Avalanche-getestet und ideal für Sperrwandler und LED-Beleuchtung.

STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Automobilstandard-IGBT der MS-Baureihe

07-03-2024

- 1200 V, 40 A, verlustarm, niedriger thermischer Widerstand und in einem TO-247-Gehäuse mit langer Anschlussleitung erhältlich.

STMicroelectronics STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

12-01-2023

- Sie sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V.

STMicroelectronics STGD4H60DF 600 V 4 A Hochgeschwindigkeits-IGBT der H-Baureihe

10-31-2023

- Mit einer fortschrittlichen trench-gate-field-stop-Struktur ausgelegt.

STMicroelectronics ACEPACK-DMT-32-Leistungsmodul M1F45M12W2-1LA

10-19-2023

- Entwickelt für die DC/DC-Wandlerstufe von Hybrid- und Elektrofahrzeugen.

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET

10-01-2023

- Verwendet MDmesh K6-Technologie auf Basis von 20 Jahren Erfahrung im Bereich der Superjunction-Technologie.

STMicroelectronics SH63N65DM6AG Leistungs-MOSFET

08-18-2023

- Automotive-grade N-channel MDmesh DM6 half‑Brückentopologie-Leistungs-MOSFET mit 650 V Sperrspannung.

STMicroelectronics STPSTxH100/Y Trench-Leistungs-Schottky-Dioden

06-29-2023

- Erfüllt die Effizienzanforderungen bei hohen Schaltfrequenzen.

STMicroelectronics STL120N10F8 100-V-n-Kanal-STripFET-MOSFET

05-08-2023

- Das Bauelement nutzt die STripFET-F8-Technologie von ST, die eine verbesserte Trench-Gate-Struktur aufweist.

Ansicht: 1 - 25 von 33

Filtern nach:

onsemi NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

07-30-2026

- Features low RDS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

onsemi EMD4DXV6 Digital Transistors ( BRTs)

07-30-2026

- Designed to replace a single device and its external resistor bias network.

ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs

07-21-2026

- Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.

IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode

07-20-2026

- Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.

IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter

07-20-2026

- Verfügt über glaspassivierte Übergänge für erhöhte Stabilität und ist in einem DO-214AB-Gehäuse untergebracht.

onsemi GaNEXUS™ GaN-FETs

07-08-2026

- Wide-Bandgap-Materialeigenschaften für niedrige Gate- und Ausgangsladung, schnelles Schalten und einen verbesserten Wirkungsgrad.

Bourns CDDFN2 TVS-Dioden zur Oberflächenmontage

07-07-2026

- ESD, EFT und Überspannungsschutz für externe Anschlüsse elektronischer Bauteile zur Begrenzung kritischer Schäden.

Semtech RCLAMP2891PQ TVS Diode

06-30-2026

- Einphasige 28-V-TVS-Diode mit extrem niedriger Kapazität schützt Hochgeschwindigkeits-Signalleitungen vor ESD und EOS.

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

06-29-2026

- Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.

Littelfuse TVS Arrays Diodenarrays

06-26-2026

- TVS-Diodenarrays für Überspannungsschutz, ESD und EFT an Daten- und Energie-Schnittstellen.

Bourns CDSOD323-T24LC-Q TVS-Dioden in Automobilqualität

06-26-2026

- Bidirektionale Automotive-Grade TVS-Dioden in einem kompakten SOD-323-Gehäuse.

Bourns CDSOD323-TxxSC-Q TVS-Dioden

06-25-2026

- Bieten Sie eine Auswahl an Spannungsoptionen von 3 V bis 36 V in einer bidirektionalen Bauform an.

Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP Bidirektionale TVS-Diode

06-22-2026

- Bauteil mit geringer Kapazität, das speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Differentialleitungen konzipiert ist.

Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs

06-19-2026

- Zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06-18-2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies EasyPACK™ S-Module

06-12-2026

- Effiziente Leistungsumwandlung in einem kompakten, einfach zu integrierenden Gehäuse, das für moderne Leistungsdesigns ausgelegt ist.

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge

05-27-2026

- Fortschrittliche n-Kanal-Bauteile für hocheffiziente Leistungsschaltung.

Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs

05-18-2026

- Entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.

Bourns CDSOT23-SM712-Q TVS-Diode zur Oberflächenmontage

05-12-2026

- Bietet Schutz für Datenanschlüsse gemäß IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 und IEC 61000-4-5.

Infineon Technologies CIPOS™ Prime CoolSiC™-Leistungsmodule für Fahrzeuganwendungen

05-06-2026

- Leistungsmodule sind für hohe Leistung in xEV-Anwendungen ausgelegt.

Littelfuse AK-FL TVS-Dioden

05-04-2026

- Axial bedrahtete, flache und bidirektionale FlatSuppressX™ TVS-Dioden mit niedriger Klemmspannung.

Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05-04-2026

- Speziell ausgelegt, um empfindliche elektronische Geräte vor Spannungstransienten zu schützen.

Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05-04-2026

- Spitzenimpulsleistung von 5000 W bei Verwendung einer 10/1000 µs Wellenform und einer Verlustleistung von 6,5 W.

Littelfuse SJx08x SCRs für Hochtemperaturanwendungen

04-24-2026

- -Mit einer Spannung von bis zu 800 V, einer Stromstoßfestigkeit von bis zu 100 A und einer Temperaturbeständigkeit von bis zu +150 °C.

RECOM Power ICs, Transformatoren und diskrete Lösungen

04-24-2026

- Enthält Bauelemente, die hervorragend für Applikationen in den Bereichen Energie, Industrie und Medizin geeignet sind.

Ansicht: 1 - 25 von 1071

Arten von diskreten Halbleitern

Filtern nach:

Kundenservice

Unternehmen

Ressourcen

Support