Neueste MOSFETs – Mouser Belgien

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onsemi NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

07-30-2026

- Features low RDS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

04-14-2026

- Optimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET

04-06-2026

- Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

03-13-2026

- Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12-26-2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12-19-2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11-25-2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11-25-2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

onsemi NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETs

11-20-2025

- Die Bauteile bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit.

onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11-20-2025

- Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.

onsemi NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11-19-2025

- Hochleistungs-MOSFET für Niederspannungsanwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern.

onsemi NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

11-19-2025

- Hocheffizienter Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, entwickelt für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen.

onsemi NVMFWS0D4N04XM Einzelne Leistungs-MOSFETs mit N-Kanal

11-16-2025

- Verfügbar in einem 5 mm x 6 mm SO8-FL-Gehäuse mit kompaktem Design und AEC-Q101-Qualifikation.

onsemi NTK3139P P-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET

10-14-2025

- Erhältlich in einem Gehäuse mit einem 44 % kleineren Footprint und 38 % dünner als ein SC-89-Gehäuse.

onsemi NVNJWS200N031L Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

10-14-2025

- Das Bauteil verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine niedrige Gate-Schwelle und ist mit einer benetzbaren Flanke erhältlich.

onsemi T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs

10-06-2025

- Einzel-N-Kanal-MOSFETs in 40 V und 80 V mit verbessertem Betriebsverhalten und erhöhtem Systemwirkungsgrad.

onsemi NTK3134N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

09-08-2025

- Robuste 20-V-890-mA-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, optimiert für hocheffiziente Schaltapplikationen.

onsemi NxJS3151P Einzel-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs

09-04-2025

- Ideal für platzbeschränkte Designs, bei denen Leistungsdichte und Zuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung sind.

onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET

06-23-2025

- Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.

onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs

06-09-2025

- Verfügen über niedrige RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.

onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®-MOSFET

05-13-2025

- Für die Verarbeitung von hohen Strömen ausgelegt, was für DC/DC-Leistungsumwandlungsstufen entscheidend ist.

onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET

04-28-2025

- Bietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem nach AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm.

onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET

04-28-2025

- Verfügt über einen niedrigen QRR, RDS (on) und QG zur Reduzierung von Treiber- und Leitungsverlusten.

onsemi NVTFWS003N04XM MOSFETs

04-28-2025

- Ein niedriger RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem gemäß AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse mit einem kleinen Footprint von 3,3 mm x 3,3 mm.

onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET

04-17-2025

- Bietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem kleinen gemäß AEC-Q101 zertifizierten SO-8FL-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm.

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Filtern nach:

onsemi NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

07-30-2026

- Features low RDS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs

07-21-2026

- Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge

05-27-2026

- Fortschrittliche n-Kanal-Bauteile für hocheffiziente Leistungsschaltung.

Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs

05-18-2026

- Entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.

onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

04-14-2026

- Optimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04-07-2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET

04-06-2026

- Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs

03-31-2026

- Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter DC/DC-Wandler und Motortreiber.

STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

03-31-2026

- Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal

03-27-2026

- Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V

03-27-2026

- Bietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03-24-2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs

03-17-2026

- Dies sind N-Kanal-MOSFETs mit Normalpegel und einer Nennspannung von 80 V oder 100 V sowie einem sehr niedrigen Durchlasswiderstand [RDS(ON)].

onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

03-13-2026

- Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03-06-2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs

03-05-2026

- Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02-19-2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

02-02-2026

- Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12-26-2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12-23-2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12-19-2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

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