Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Ziet u een fout?

ADPA1116ACGZN

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

584-ADPA1116ACGZN

Fabrikantnr:

ADPA1116ACGZN

Fabrikant:

Analog Devices

Omschrijving:

RF Versterker GaN Wideband Power Amplifier ICs

Gegevensblad:

ADPA1116ACGZN Gegevensblad

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over Analog Devices ADPA1116ACGZN

Melding verzending:

Mouser verkoopt dit product momenteel niet in uw regio.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	Analog Devices Inc.
Productcategorie:	RF Versterker
Verzendbeperkingen:	Mouser verkoopt dit product momenteel niet in uw regio.
RoHS:
Werkingsfrequentie:	300 MHz to 6 GHz
Werkvoedingsspanning:	28 V
Versterking:	32.5 dB
Type:	Power Amplifiers
Montagetype:	SMD/SMT
Verpakking / doos:	LFCSP-32
Technologie:	GaN
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 40 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 85 C
Reeks:	ADPA1116
Verpakken:	Cut Tape
Merk:	Analog Devices
Ontwikkelingskit:	EVAL-ADPA1116
Vochtgevoelig:	Yes
Aantal kanalen:	1 Channel
Pd - Vermogensverlies:	28.7 W
Producttype:	RF Amplifier
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	500
Subcategorie:	Wireless & RF Integrated Circuits
Onderdeelnr. Aliassen:	ADPA1116ACGZN-R7

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

ADPA1116ACGZN Gegevensblad

Voor deze functionaliteit moet JavaScript zijn ingeschakeld.

Conformiteitscodes

CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

Classificaties oorsprong

Land van oorsprong:: Taiwan
Land van herkomst van de assemblage:: Taiwan
Land van diffusie:: Verenigde Staten

Het land kan op het moment van verzending wijzigen.

ADPA1116 GaN Power Amplifiers

Analog Devices ADPA1116 GaN Power Amplifiers feature a 39.5dBm saturated output power (P_OUT) power added efficiency (PAE) of 40% and a power gain of 23.5dB typical from 0.5GHz to 5GHz at an input power (P_IN) of 16.0dBm. The RF input and output are internally matched and AC-coupled. A drain bias voltage of 28V is applied to the V_DD1 and V_DD2 pins, which have integrated bias inductors. The drain current is set using a negative voltage to the V_GG1 pin. The ADPA1116 is manufactured using a gallium nitride (GaN) process and is available in a 32-lead chip scale package. The ADI ADPA1116 amps are specified for operation from -40°C to +85°C.