STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor
Der STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor ist ein 100 V, 201 A e-Mode-Transistor mit extrem niedrigen Leitungsverlusten, Hochstromfähigkeit und ultraschnellem Schaltbetrieb. Dieser Transistor zeichnet sich durch eine hohe Schaltfrequenz aus und ermöglicht kompakte Designs mit hoher Leistungsdichte, kleinen passiven Bauteilen und vereinfachtem Wärmemanagement. Der Transistor SGT3D5R10MEB arbeitet bei einem typischen Drain-Widerstand RDS(ON) von 2,7 mΩ und in einem Sperrschicht-Betriebstemperatur von –40 °C bis +150 °C. Dieser PowerGaN-Transistor ist ideal für DC/DC-Wandler, Motorantriebe und MPPT-Systeme für Solaranlagen.
Merkmale
- Doppelseitiges Kühlgehäuse
- Der Anreicherungsmodus ist im Transistor normalerweise deaktiviert
- Extrem niedrige Kapazitäten
- Drain-Widerstand RDS(ON) von 2,7 mΩ (typisch)
- 255 W Gesamtverlustleistung (PTOT) bei TC = 25 °C
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +150 °C
- Hohe Leistungsmanagement-Fähigkeit
- Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit
- Keine Sperrverzögerungsladung
Applikationen
- DC/DC-Wandler
- Motortreiber
- MPPT für Solaranlagen
Veröffentlichungsdatum: 2026-08-03
| Aktualisiert: 2026-08-10