SGT65R65AL

STMicroelectronics
511-SGT65R65AL
SGT65R65AL

Fabrikant:

Omschrijving:
GaN FET's 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
Voltooi uw ontwerp

Gegevensblad:
ECAD-model:
Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.
Meer informatie
Meer informatie over STMicroelectronics SGT65R65AL

Productkenmerk Kenmerkwaarde Selecteer kenmerk
STMicroelectronics
Productcategorie: GaN FET's
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
1 Channel
650 V
25 A
65 mOhms
+ 6 V
1.8 V
5.4 nC
- 55 C
+ 150 C
305 W
GaN-on-Si
Merk: STMicroelectronics
Vochtgevoelig: Yes
Verpakken: Reel
Producttype: GaN FETs
Reeks: SGT
Verpakkingshoeveelheid af fabriek: 3000
Subcategorie: Transistors
Transistortype: E-Mode
Type: RF Power MOSFET
Gewicht per stuk: 76 mg
Gevonden producten:
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.
Geselecteerde attributen: 0

Gegevensblad

Application Notes

Voor deze functionaliteit moet JavaScript zijn ingeschakeld.

Conformiteitscodes
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificaties oorsprong
Land van oorsprong:
China
Land van herkomst van de assemblage:
Niet beschikbaar
Land van diffusie:
Niet beschikbaar
Het land kan op het moment van verzending wijzigen.

SGT65R65AL e-mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT65R65AL e-mode PowerGaN Transistors are 650V, 25A transistors combined with well-established packaging technology. The STMicroelectronics SGT65R65AL has a resulting G-HEMT device that provides extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation. The device can enable high power density and unbeatable efficiency performances.

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

Beschikbaarheid

Voorraad:
Niet in voorraad
Fabriekslevertijd:
52 weken Geschatte productietijd in de fabriek.
Voor dit product wordt een lange levertijd vermeld.
Minimum: 3000   Veelvouden: 3000
Eenheidsprijs:
-,-- €
Ext. Prijs:
-,-- €
Est. Tarief:
Dit product wordt GRATIS verzonden

Prijsbepaling (EUR)

Hvh. Eenheidsprijs
Ext. Prijs
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 3000)
4,71 € 14.130,00 €

Er is een onverwachte fout opgetreden.


Hebt u een vraag? Bezoek het Helpcentrum.
Voor vragen over een specifieke bestelling kunt u inloggen op uw account.

Als u nog meer problemen ondervindt, neem dan contact met ons op via 800-346-6873 of stuur een e-mail naar help@mouser.com.