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Qorvo QPD1000A GaN - Transistor mit angepasster Eingangsspannung
Qorvo QPD1000A GaN - Transistor mit angepasster Eingangsspannung
10-14-2026
50Ω Eingangsangepasste diskrete GaN-auf-SiC HEMT, die von 30MHz-1215MHz an einer 28V Versorgungsspannung betrieben werden.
Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren
Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren
10-06-2026
220 W diskrete GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 1,2 GHz bis 1,4 GHz arbeiten.
Qorvo QPD2562L GaN-HF-Leistungstransistor
Qorvo QPD2562L GaN-HF-Leistungstransistor
10-06-2026
Ein diskreter 200 W bis 300 W GaN-on-SiC-HEMT, der von 2,5 GHz bis 2,9 GHz und von 2,9 GHz bis 3,3 GHz arbeitet.
Qorvo QPD2560L 300 W GaN/SiC HEMT
Qorvo QPD2560L 300 W GaN/SiC HEMT
03-09-2026
Konzipiert für anspruchsvolle L-Band- Applikationen, die im Frequenzbereich 1.0 GHz bis 1,5 GHz arbeiten.
Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01-20-2026
15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01-19-2026
25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.
Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01-19-2026
7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
Qorvo QPD1035 GaN-HF-Leistungstransistoren
Qorvo QPD1035 GaN-HF-Leistungstransistoren
09-12-2024
Diskrete 40-W-GaN-auf-SiC-HEMTs, die von DC bis 6 GHz mit einer Versorgung von 50 V arbeiten.
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Qorvo QPD1000A GaN - Transistor mit angepasster Eingangsspannung
Qorvo QPD1000A GaN - Transistor mit angepasster Eingangsspannung
10-14-2026
50Ω Eingangsangepasste diskrete GaN-auf-SiC HEMT, die von 30MHz-1215MHz an einer 28V Versorgungsspannung betrieben werden.
Qorvo QPD2562L GaN-HF-Leistungstransistor
Qorvo QPD2562L GaN-HF-Leistungstransistor
10-06-2026
Ein diskreter 200 W bis 300 W GaN-on-SiC-HEMT, der von 2,5 GHz bis 2,9 GHz und von 2,9 GHz bis 3,3 GHz arbeitet.
Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren
Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren
10-06-2026
220 W diskrete GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 1,2 GHz bis 1,4 GHz arbeiten.
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor
08-11-2026
Bietet extrem niedrige Leitungsverluste, Hochstromfähigkeit und ultraschnellen Schaltbetrieb.
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor
08-10-2026
Ausgelegt für hocheffiziente und leistungsstarke Schaltapplikationen.
onsemi GaNEXUS™ GaN-FETs
onsemi GaNEXUS™ GaN-FETs
07-08-2026
Wide-Bandgap-Materialeigenschaften für niedrige Gate- und Ausgangsladung, schnelles Schalten und einen verbesserten Wirkungsgrad.
Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)
Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)
03-20-2026
Normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse.
Infineon Technologies Bidirektionale Schalter CoolGaN™ für mittlere Spannung
Infineon Technologies Bidirektionale Schalter CoolGaN™ für mittlere Spannung
03-17-2026
Diese Bauteile eignen sich hervorragend als Batterietrennschalter in verschiedenen Applikationen.
Qorvo QPD2560L 300 W GaN/SiC HEMT
Qorvo QPD2560L 300 W GaN/SiC HEMT
03-09-2026
Konzipiert für anspruchsvolle L-Band- Applikationen, die im Frequenzbereich 1.0 GHz bis 1,5 GHz arbeiten.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03-05-2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03-05-2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03-05-2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02-26-2026
Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
02-26-2026
Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02-26-2026
Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01-20-2026
15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01-19-2026
25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.
Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01-19-2026
7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
Infineon Technologies CoolGaN™ Drive HB 600 V G5 Schalter
Infineon Technologies CoolGaN™ Drive HB 600 V G5 Schalter
12-23-2025
Integrieren eine Halbbrücken-Leistungsstufe mit zwei 600-V-Anreicherungsmodus-CoolGaN-Schaltern.
STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR
STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR
12-04-2025
E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.
STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor
STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor
11-07-2025
Basiert auf GaN-Technologie und ist für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs-Applikationen konzipiert.
STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN TRANSISTOR
STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN TRANSISTOR
10-28-2025
E-Mode PowerGaN TRANSISTOR, der für eine effiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Applikationen optimiert ist.
Guerrilla RF GRF0090 GaN HEMT Power Transistor
Guerrilla RF GRF0090 GaN HEMT Power Transistor
10-24-2025
110W (P3dB) unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT, operates from DC to 3.7GHz on a 50V supply rail.
Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors
Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors
08-18-2025
Unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications.
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
07-03-2025
Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.
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