ROHM Semiconductor Solutions pour serveurs et centre de données
La croissance rapide de l'intelligence artificielle (IA), du cloud computing et de la transformation numérique génère une demande sans précédent pour les performances de centre de données, sans compter la pression pour améliorer l'efficacité énergétique. ROHM Semiconductor combine des technologies de puissance et analogiques avancées pour aider à maximiser l'efficacité énergétique du serveur, à réduire la consommation d'énergie du système de refroidissement et à soutenir des infrastructures de centre de données plus durables. Depuis les dispositifs de puissance en carbure de silicium (SiC) et les circuits intégrés (CI) analogiques de précision à la pointe du secteur jusqu'aux composants discrets et aux solutions de gestion de l'alimentation, ROHM apporte des technologies qui permettent des économies d'énergie, une fiabilité améliorée et des conceptions de serveur compactes pour les applications informatiques de nouvelle génération.
Caractéristiques
- Efficacité énergétique améliorée
- Gestion thermique avancée
- Haute fiabilité
- Densité de puissance élevée
- Infrastructure durable
Présentation générale
Unité d'alimentation (PSU)
ROHM propose un portefeuille complet de solutions d’alimentation pour les blocs d'alimentation de serveur de nouvelle génération, avec des dispositifs SiC et GaN (nitrure de gallium) haut débit de pointe pour les circuits côté primaire haute tension et des LVMOS (Low-Voltage Power MOSFET) haute performance 80 V qui minimisent les pertes de conduction. Ces caractéristiques sont avantageuses pour les applications de redressement de serveurs d'IA 50 V et les MOSFET économiques à super-jonction pour la commutation à basse vitesse PFC totem-pole. En complément de sa vaste gamme de dispositifs, ROHM fournit également des pilotes de grille des CI de contrôle et une assistance à la conception au niveau système afin de maximiser les performances et l'efficacité de l'ensemble de l'architecture d'alimentation.
Schéma fonctionnel de l’alimentation
Unité de batterie de secours (BBU)
ROHM prend en charge les BBU avancées avec des CI à jauge de carburant très précise qui surveille les niveaux de charge de la batterie et l'état de santé (SoH) des batteries lithium-ion, contribuant à réduire les dimensions du système tout en renforçant la fiabilité. Pour les circuits de serveurs remplaçables à chaud, y compris les applications de serveurs d'IA exigeantes, les MOSFET de puissance 100 V de ROHM apportent des valeurs de zone de fonctionnement sûre (SOA) élevées et une faible résistance à l'état passant pour gérer des charges de courant élevées et améliorer la robustesse du système. En complément de ces solutions, ROHM propose un large portefeuille qui prend en charge une large gamme d'architectures d'alimentation, des systèmes conventionnels 12 V et 50 V aux racks de distribution d'alimentation CC haute tension de classe 400 V émergents.
Schéma fonctionnel de la BBU
Cartes mères de serveur pour l’IA
Portés par l’adoption rapide de l’IA générative et de la transformation numérique, les serveurs modernes nécessitent une puissance de calcul nettement supérieure tout en maintenant l’efficacité énergétique. Pour faire face à la hausse de consommation électrique et améliorer l'efficacité énergétique (PUE) des centre de données, ROHM propose des solutions de puissance totale qui prennent en charge la transition des architectures distribuées traditionnelles de 12 V vers des systèmes centralisés de 48 V. En combinant des technologies avancées de CI d'alimentation électrique avec des MOSFET et des dispositifs GaN haute performance, ROHM maximise l'efficacité de la conversion d'énergie, réduit la production de chaleur, augmente la densité de puissance et améliore à la fois les performances de traitement de serveur et les économies d'énergie globales sur les cartes de serveur.
Schéma fonctionnel de la carte mère du serveur
Études de cas
Produits présentés
ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V
Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RY7P250BM
Conçu avec une faible résistance et un boîtier haute puissance, adapté au contrôleur hot-swap (HSC).
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N SiC SCT4018KR
Dispose d'une tension nominale drain-source de 1 200 V et d'un courant de drain continu de 81 A (à 25 °C).
ROHM Semiconductor Convertisseurs Buck CC-CC avec MOSFET intégrés BD9x
Régulateurs à découpage Buck synchrones avec MOSFET de puissance intégrés.
ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC
Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.
ROHM Semiconductor Les HEMT GaN à mode d'amélioration de 650 V GNP2x
Conçus pour des applications de conversion d'énergie haute performance.
ROHM Semiconductor Pilote de grille à 1 canal BM6GD11BFJ-LB
Comprend une isolation intégrée et est capable de piloter des HEMT GaN à des vitesses élevées.
ROHM Semiconductor BD9G101G Simple Step-Down Switching Regulators
Switching regulators with integrated internal high-side 42V Power MOSFETs in a small SOT-23 package.
ROHM Semiconductor Amplificateur de détection de courant BD14210G-LA
Dispose d'une large plage de tension de mode commun de -0,2 V à 26 V et d'une précision du gain de ±1 % (max).