onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)

Les transistors numériques EMD4DXV6 (BRT) d’Onsemi sont conçus pour remplacer un seul dispositif et son réseau externe de polarisation de résistance. Les transistors à résistance de polarisation (BRT) intègrent un transistor unique avec un réseau de polarisation monolithique comprenant deux résistances : une résistance de base en série et une résistance base-émetteur. Ces BRT éliminent ces composants individuels en les intégrant dans un seul appareil. Les transistors EMD4DXV6 présentent une tension de collecteur-base de 50 VCC, une tension de collecteur-émetteur de 50 VCC et un courant de collecteur de 100 mACC. Ces transistors supportent une plage de températures de jonction et de stockage de -55 °C à +150 °C.

Caractéristiques

  • Simplifie la conception des circuits
  • Réduit l’espace sur la carte
  • Réduit le nombre de composants
  • Dispositifs sans plomb
  • Certifiés AEC-Q101 et compatibles PPAP

Caractéristiques techniques

  • Tension de collecteur-base de 50 VCC
  • Tension de collecteur-émetteur de 50 VCC
  • Courant de collecteur de 100 mACC
  • Plage de températures de jonction et de stockage de -55 °C à +150 °C

Courbe de déclassement

Graphique des performances - onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)

Schéma des dimensions

Plan mécanique - onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)
Publié le: 2026-07-27 | Mis à jour le: 2026-08-06