MOSFET EliteSiC M1

Les MOSFET EliteSiC M1  d'onsemi disposent  d'une tension nominale de 1 200 V et 1 700 V. Les MOSFET M1  d'onsemi sont conçus pour répondre aux besoins des applications à haute puissance qui exigent fiabilité et efficacité. Les MOSFET EliteSiC M1 sont disponibles en diverses options de boîtier, notamment D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD et pastille nue.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 938En stock
Bande coupée
18,13 €
13,62 €
12,89 €
Bobine
12,89 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V 1.338En stock
18,19 €
12,82 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 2.372En stock
11,65 €
6,49 €
6,24 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L 753En stock
31,02 €
24,16 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.7 kV 81 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V 1.036En stock
11,90 €
6,64 €
6,61 €
6,42 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 1.794En stock
Bande coupée
8,12 €
4,75 €
4,44 €
4,20 €
Bobine
4,20 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 1.924En stock
Bande coupée
10,44 €
5,87 €
5,72 €
5,41 €
Bobine
5,41 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 656En stock
10,95 €
6,05 €
5,75 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A 1.182En stock
14,07 €
9,62 €
9,08 €
8,77 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1 84En stock
Bande coupée
47,63 €
38,65 €
34,53 €
Bobine
34,53 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 266En stock
41,47 €
35,28 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART 224En stock
24,42 €
16,13 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART 181En stock
12,32 €
6,56 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 53En stock
Bande coupée
25,11 €
18,83 €
17,39 €
15,59 €
Bobine
15,59 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS 20MW 1200V 2.070En stock
Bande coupée
33,51 €
25,34 €
25,33 €
23,99 €
Bobine
23,99 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET 20MW 1200V 628En stock
33,24 €
23,44 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET 20MW 1200V 723En stock
45,03 €
37,72 €
34,13 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 426En stock
Bande coupée
11,76 €
7,00 €
6,62 €
Bobine
6,62 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 164En stock
29,53 €
23,55 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART 1.664En stock
8,86 €
6,26 €
5,21 €
4,64 €
4,35 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V 307En stock
45026-10-26 attendu
20,07 €
12,65 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 412En stock
45009-11-26 attendu
8,64 €
4,74 €
4,37 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 172En stock
11,24 €
6,24 €
5,96 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 190En stock
80016-04-27 attendu
Bande coupée
11,43 €
7,61 €
7,03 €
5,93 €
Bobine
5,93 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L
6.109Sur commande
Bande coupée
34,76 €
28,26 €
26,59 €
24,93 €
Bobine
24,93 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 71 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 222 nC - 55 C + 175 C 428 W Enhancement EliteSiC